Estudio del efecto de conmutación resistiva en dispositivos tipo capacitor de In/Hf02/Pt
El dióxido de hafnio HfO2 es un material con una alta constante dieléctrica y un band gap cerca de 5.0 eV, a su vez este material ha presentado el efecto de conmutación resistiva, lo cual lo hace un candidato importante para aplicaciones en micro y nano electrónica. Se depositó películas delgadas de...
- Autores:
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Quiñones Penagos, Mario Fernando
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2019
- Institución:
- Universidad del Valle
- Repositorio:
- Repositorio Digital Univalle
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:bibliotecadigital.univalle.edu.co:10893/15625
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/10893/15625
- Palabra clave:
- Nanoelectrónica
Hafnio
Electroquímica
- Rights
- openAccess
- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
| Summary: | El dióxido de hafnio HfO2 es un material con una alta constante dieléctrica y un band gap cerca de 5.0 eV, a su vez este material ha presentado el efecto de conmutación resistiva, lo cual lo hace un candidato importante para aplicaciones en micro y nano electrónica. Se depositó películas delgadas de HfO2 sobre sustratos de Pt/TiO2/SiO2/Si, utilizando la técnica de pulverización catódica asistida por magnetrón RF, en una atmósfera de oxígeno a una presión de 10-1 mbar y una temperatura de sustrato de 550 oC. También se realizó una variación sistemática del espesor de la película de HfO2 entre 23 nm y 155 nm para observar el efecto del espesor de la capa de HfO2 sobre el efecto de conmutación resistiva. |
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