Efectos de presión, temperatura y frecuencia del plasma sobre la estructura de bandas de un cristal fotónico 1D semiconductor
En este trabajo se deriva vía el formalismo de la matriz transferencia una ecuación trascendental para encontrar la estructura de bandas de dos cristales fotónicos 1D compuestos de capas alternadas de diferentes materiales, tales como GaAs y aire, Ta2O5 y aire. Se verificó la existencia de las banda...
- Autores:
-
González Reyes, Luz Esther
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2010
- Institución:
- Universidad del Valle
- Repositorio:
- Repositorio Digital Univalle
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:bibliotecadigital.univalle.edu.co:10893/15541
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/10893/15541
- Palabra clave:
- Cristales fotónicos
Semiconductores
Efectos de presión
Estructura de bandas
Frecuencia de plasma
Método de matriz de transferencia
- Rights
- openAccess
- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
| Summary: | En este trabajo se deriva vía el formalismo de la matriz transferencia una ecuación trascendental para encontrar la estructura de bandas de dos cristales fotónicos 1D compuestos de capas alternadas de diferentes materiales, tales como GaAs y aire, Ta2O5 y aire. Se verificó la existencia de las bandas de energía prohibida y se mostró que éstas dependen de la relación entre el espesor de las capas de los materiales corroborando resultados previos. Adicionalmente, se investigaron los efectos de la presión y temperatura sobre la estructura de bandas, así como, los efectos de agregar n-dopantes en el GaAs considerando las variaciones en la frecuencia del plasma, causadas por la presión a través de la densidad de carga y la masa efectiva. |
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