Efectos de presión, temperatura y frecuencia del plasma sobre la estructura de bandas de un cristal fotónico 1D semiconductor

En este trabajo se deriva vía el formalismo de la matriz transferencia una ecuación trascendental para encontrar la estructura de bandas de dos cristales fotónicos 1D compuestos de capas alternadas de diferentes materiales, tales como GaAs y aire, Ta2O5 y aire. Se verificó la existencia de las banda...

Full description

Autores:

González Reyes, Luz Esther

Tipo de recurso:

Trabajo de grado de pregrado

Fecha de publicación:

2010

Institución:

Universidad del Valle

Repositorio:

Repositorio Digital Univalle

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:bibliotecadigital.univalle.edu.co:10893/15541

Acceso en línea:

https://hdl.handle.net/10893/15541

Palabra clave:

Cristales fotónicos
Semiconductores
Efectos de presión
Estructura de bandas
Frecuencia de plasma
Método de matriz de transferencia

Rights

openAccess

License

http://purl.org/coar/access_right/c_abf2