Estudio del efecto de conmutación resistiva en heteroestructuras basadas en óxidos multifuncionales.
La conmutación resistiva de estructuras tipo conductor/aislante/conductor es actualmente un tópico altamente investigado debido a su potencial aplicación en el campo de dispositivos de memoria no volátil. El propósito general de este proyecto consistió en estudiar los mecanismos de conducción en el...
- Autores:
-
Gross, Katherine
Gómez de Prieto, María Elena
Lopera Muñoz, Wilson
Porras Montenegro, Nelson
Suárez, Luisa Fernanda
Betancourt, John
Quiñonez, Mario Fernando
Torres, Margoth Lorena
Ceballos, Santiago
Marín, Lorena
Ramírez, Juan Gabriel
- Tipo de recurso:
- Investigation report
- Fecha de publicación:
- 2019
- Institución:
- Universidad del Valle
- Repositorio:
- Repositorio Digital Univalle
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:bibliotecadigital.univalle.edu.co:10893/20422
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/10893/20422
- Palabra clave:
- Conmutación resistiva
Películas delgadas
Memorias resistivas
Manganitas
Perovskitas
Difracción de rayos X
Óxidos
Computación neuromórfica
- Rights
- openAccess
- License
- http://purl.org/coar/access_right/c_abf2