Efectos de un láser intenso no resonante y campos magnéticos y eléctricos externos sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoestructuras semiconductoras tipo ll

Usando la aproximación de masa efectiva en un modelo parabólico de dos bandas y aplicando el método de elementos finitos, se realiza un estudio teórico de los efectos de campos magnéticos y eléctricos externos, de una radiación laser intensa no resonante y la variación de los parámetros geométricos,...