Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD)
"La técnica Combustion Chemical Vapor Deposition (CCVD) permite obtener recubrimientos sobre sustratos en condiciones ambientales, esto resulta conveniente industrialmente dado la simplicidad del proceso. En este trabajo se implementó un montaje de deposición CCVD para estudiar las variables in...
- Autores:
-
Capote Sánchez, Ariel
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2020
- Institución:
- Universidad de los Andes
- Repositorio:
- Séneca: repositorio Uniandes
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/44837
- Acceso en línea:
- http://hdl.handle.net/1992/44837
- Palabra clave:
- Películas delgadas
Películas delgadas de silicio
Silicio
Galvanoplastia al vapor
Deposición química de vapores
Ingeniería
- Rights
- openAccess
- License
- http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
| id |
UNIANDES2_e2e9ca19ad6cd6290d964b278c2c1102 |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/44837 |
| network_acronym_str |
UNIANDES2 |
| network_name_str |
Séneca: repositorio Uniandes |
| repository_id_str |
|
| spelling |
Al consultar y hacer uso de este recurso, está aceptando las condiciones de uso establecidas por los autores.http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Salcedo Galán, Felipevirtual::7377-1Capote Sánchez, Ariele80468b5-66c4-4891-95a4-3f58d2bc8520500Ortiz Herrera, Pablo2020-09-03T15:03:26Z2020-09-03T15:03:26Z2020http://hdl.handle.net/1992/44837u831081.pdfinstname:Universidad de los Andesreponame:Repositorio Institucional Sénecarepourl:https://repositorio.uniandes.edu.co/"La técnica Combustion Chemical Vapor Deposition (CCVD) permite obtener recubrimientos sobre sustratos en condiciones ambientales, esto resulta conveniente industrialmente dado la simplicidad del proceso. En este trabajo se implementó un montaje de deposición CCVD para estudiar las variables involucradas en el proceso de deposición, así como las características de los recubrimientos obtenidos. Los resultados indican que el proceso permite la modificación de la energía superficial de sustratos de vidrio. Se obtuvo evidencia suficiente que respalda la presencia de SiO2 en los sustratos tratados. Las superficies tratadas poseen carácter altamente hidrofílico. Los recubrimientos obtenidos poseen adherencia suficiente para resistir a algunas acciones mecánicas y ambientales, lo cual indica que la técnica estudiada se plantea como una opción viable para el diseño de recubrimientos funcionales." -- Tomado del Formato de Documento de Grado."The Combustion Chemical Vapor Deposition (CCVD) technique allows to obtain coatings on substrates under environmental conditions, this is convenient for the industry given the simplicity of the process. In this work, a CCVD deposition technique was implemented to study the variables involved in the deposition process, as well as the characterization of the coatings obtained. The results indicate that the process allows the modification of the surface energy of glass substrates. There is evidence that supports the presence of SiO2 in the treated substrates. The treated surfaces have a highly hydrophilic character. The coatings obtained indicate that the technique studied is considered as a viable option for the design of functional coatings." -- Tomado del Formato de Documento de Grado.Ingeniero QuímicoPregrado19 hojasapplication/pdfspaUniversidad de los AndesIngeniería QuímicaFacultad de IngenieríaDepartamento de Ingeniería Químicainstname:Universidad de los Andesreponame:Repositorio Institucional SénecaCaracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD)Trabajo de grado - Pregradoinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Texthttp://purl.org/redcol/resource_type/TPPelículas delgadasPelículas delgadas de silicioSilicioGalvanoplastia al vaporDeposición química de vaporesIngenieríaPublicationhttps://scholar.google.es/citations?user=zb2UEw8AAAAJvirtual::7377-10000-0002-7039-6448virtual::7377-1https://scienti.minciencias.gov.co/cvlac/visualizador/generarCurriculoCv.do?cod_rh=0000909068virtual::7377-1a7927f54-d3f3-447b-b397-ebe41f3c822avirtual::7377-1a7927f54-d3f3-447b-b397-ebe41f3c822avirtual::7377-1TEXTu831081.pdf.txtu831081.pdf.txtExtracted texttext/plain46991https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/2a5810ae-0cc5-47c9-8565-e20a989ef402/download026687f135da301988cd319905f89400MD54ORIGINALu831081.pdfapplication/pdf1509154https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/f57bf407-26ae-44fc-87d4-192725c6199d/downloadfdf514bb074a600a337472fb46858fbdMD51THUMBNAILu831081.pdf.jpgu831081.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg24356https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/fd8a3ee3-d35b-4247-879a-25e95dee24e1/downloadde7e3fa28e2d707bf74f2abe9f15eb24MD551992/44837oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/448372024-03-13 13:25:06.643http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/open.accesshttps://repositorio.uniandes.edu.coRepositorio institucional Sénecaadminrepositorio@uniandes.edu.co |
| dc.title.es_CO.fl_str_mv |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| title |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| spellingShingle |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) Películas delgadas Películas delgadas de silicio Silicio Galvanoplastia al vapor Deposición química de vapores Ingeniería |
| title_short |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| title_full |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| title_fullStr |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| title_full_unstemmed |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| title_sort |
Caracterización de películas delgadas de dióxido de silicio (SIO2) obtenidas mediante la técnica combustion chemical vapor deposition (CCVD) |
| dc.creator.fl_str_mv |
Capote Sánchez, Ariel |
| dc.contributor.advisor.none.fl_str_mv |
Salcedo Galán, Felipe |
| dc.contributor.author.none.fl_str_mv |
Capote Sánchez, Ariel |
| dc.contributor.jury.none.fl_str_mv |
Ortiz Herrera, Pablo |
| dc.subject.armarc.es_CO.fl_str_mv |
Películas delgadas Películas delgadas de silicio Silicio Galvanoplastia al vapor Deposición química de vapores |
| topic |
Películas delgadas Películas delgadas de silicio Silicio Galvanoplastia al vapor Deposición química de vapores Ingeniería |
| dc.subject.themes.none.fl_str_mv |
Ingeniería |
| description |
"La técnica Combustion Chemical Vapor Deposition (CCVD) permite obtener recubrimientos sobre sustratos en condiciones ambientales, esto resulta conveniente industrialmente dado la simplicidad del proceso. En este trabajo se implementó un montaje de deposición CCVD para estudiar las variables involucradas en el proceso de deposición, así como las características de los recubrimientos obtenidos. Los resultados indican que el proceso permite la modificación de la energía superficial de sustratos de vidrio. Se obtuvo evidencia suficiente que respalda la presencia de SiO2 en los sustratos tratados. Las superficies tratadas poseen carácter altamente hidrofílico. Los recubrimientos obtenidos poseen adherencia suficiente para resistir a algunas acciones mecánicas y ambientales, lo cual indica que la técnica estudiada se plantea como una opción viable para el diseño de recubrimientos funcionales." -- Tomado del Formato de Documento de Grado. |
| publishDate |
2020 |
| dc.date.accessioned.none.fl_str_mv |
2020-09-03T15:03:26Z |
| dc.date.available.none.fl_str_mv |
2020-09-03T15:03:26Z |
| dc.date.issued.none.fl_str_mv |
2020 |
| dc.type.spa.fl_str_mv |
Trabajo de grado - Pregrado |
| dc.type.coarversion.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| dc.type.driver.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis |
| dc.type.coar.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
| dc.type.content.spa.fl_str_mv |
Text |
| dc.type.redcol.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/redcol/resource_type/TP |
| format |
http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
| dc.identifier.uri.none.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/1992/44837 |
| dc.identifier.pdf.none.fl_str_mv |
u831081.pdf |
| dc.identifier.instname.spa.fl_str_mv |
instname:Universidad de los Andes |
| dc.identifier.reponame.spa.fl_str_mv |
reponame:Repositorio Institucional Séneca |
| dc.identifier.repourl.spa.fl_str_mv |
repourl:https://repositorio.uniandes.edu.co/ |
| url |
http://hdl.handle.net/1992/44837 |
| identifier_str_mv |
u831081.pdf instname:Universidad de los Andes reponame:Repositorio Institucional Séneca repourl:https://repositorio.uniandes.edu.co/ |
| dc.language.iso.es_CO.fl_str_mv |
spa |
| language |
spa |
| dc.rights.uri.*.fl_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
| dc.rights.accessrights.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| dc.rights.coar.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| rights_invalid_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| dc.format.extent.es_CO.fl_str_mv |
19 hojas |
| dc.format.mimetype.es_CO.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.publisher.es_CO.fl_str_mv |
Universidad de los Andes |
| dc.publisher.program.es_CO.fl_str_mv |
Ingeniería Química |
| dc.publisher.faculty.es_CO.fl_str_mv |
Facultad de Ingeniería |
| dc.publisher.department.es_CO.fl_str_mv |
Departamento de Ingeniería Química |
| dc.source.es_CO.fl_str_mv |
instname:Universidad de los Andes reponame:Repositorio Institucional Séneca |
| instname_str |
Universidad de los Andes |
| institution |
Universidad de los Andes |
| reponame_str |
Repositorio Institucional Séneca |
| collection |
Repositorio Institucional Séneca |
| bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/2a5810ae-0cc5-47c9-8565-e20a989ef402/download https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/f57bf407-26ae-44fc-87d4-192725c6199d/download https://repositorio.uniandes.edu.co/bitstreams/fd8a3ee3-d35b-4247-879a-25e95dee24e1/download |
| bitstream.checksum.fl_str_mv |
026687f135da301988cd319905f89400 fdf514bb074a600a337472fb46858fbd de7e3fa28e2d707bf74f2abe9f15eb24 |
| bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 |
| repository.name.fl_str_mv |
Repositorio institucional Séneca |
| repository.mail.fl_str_mv |
adminrepositorio@uniandes.edu.co |
| _version_ |
1812133914816282624 |