Control optimo multiescala de un reactor de deposición química de vapor para el crecimiento de una película de silicio

En este trabajo se estudia el control óptimo de un reactor para la deposición química de una película de silicio utilizando dos escalas. En la primera, la fase gaseosa del reactor se modela por medio de las ecuaciones diferenciales parciales que representan los fenómenos de transporte. La segunda corresponde a la superficie de la película, la cual se simula, teniendo en cuenta la estructura cristalina real, con cinética de Monte-Carlo y posteriormente es modelada con ecuaciones diferenciales estocásticas. El objetivo de control es alcanzar una altura determinada minimizando la rugosidad. Se estudiaron dos esquemas de control y tres casos: lazo abierto / control por modelo predictivo y perfil de velocidad fijo / optimización libre / optimización libre con perturbación. En ausencia de perturbaciones, los dos esquemas presentaron un desempeño similar. Sin embargo, el control en lazo abierto es incapaz de reaccionar a variaciones en las condiciones del reactor. El control por modelo predictivo logra obtener la altura especificada para todos los casos estudiados, demostrando ser un esquema de control adecuado para el sistema estudiado

• Autores: Solano Rincón, Andrés Felipe
• Tipo de recurso: Trabajo de grado de pregrado
• Fecha de publicación: 2020
• Institución: Universidad de los Andes
• Repositorio: Séneca: repositorio Uniandes
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/49297
• Acceso en línea: http://hdl.handle.net/1992/49297
• Palabra clave: Modelado multiescala; Control predictivo; Deposición química de vapores; Ecuaciones diferenciales estocásticas; Ingeniería
• Rights: openAccess
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