Control optimo multiescala de un reactor de deposición química de vapor para el crecimiento de una película de silicio
En este trabajo se estudia el control óptimo de un reactor para la deposición química de una película de silicio utilizando dos escalas. En la primera, la fase gaseosa del reactor se modela por medio de las ecuaciones diferenciales parciales que representan los fenómenos de transporte. La segunda co...
- Autores:
-
Solano Rincón, Andrés Felipe
- Tipo de recurso:
- Trabajo de grado de pregrado
- Fecha de publicación:
- 2020
- Institución:
- Universidad de los Andes
- Repositorio:
- Séneca: repositorio Uniandes
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/49297
- Acceso en línea:
- http://hdl.handle.net/1992/49297
- Palabra clave:
- Modelado multiescala
Control predictivo
Deposición química de vapores
Ecuaciones diferenciales estocásticas
Ingeniería
- Rights
- openAccess
- License
- http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/