Caracterización del transistor de efecto de campo sensible a íones (ISFET) con material biológico artificial

Ingeniero Electrónico

• Autores: Tabima Martínez, Camila Andrea
• Tipo de recurso: Trabajo de grado de pregrado
• Fecha de publicación: 2007
• Institución: Universidad de los Andes
• Repositorio: Séneca: repositorio Uniandes
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/23139
• Acceso en línea: http://hdl.handle.net/1992/23139
• Palabra clave: Transistores de efecto de campo - Investigaciones; Ingeniería
• Rights: openAccess
• License: https://repositorio.uniandes.edu.co/static/pdf/aceptacion_uso_es.pdf