Caracterización del transistor de efecto de campo sensible a íones (ISFET) con material biológico artificial

Ingeniero Electrónico

Autores:

Tabima Martínez, Camila Andrea

Tipo de recurso:

Trabajo de grado de pregrado

Fecha de publicación:

2007

Institución:

Universidad de los Andes

Repositorio:

Séneca: repositorio Uniandes

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/23139

Acceso en línea:

http://hdl.handle.net/1992/23139

Palabra clave:

Transistores de efecto de campo - Investigaciones
Ingeniería

Rights

openAccess

License

https://repositorio.uniandes.edu.co/static/pdf/aceptacion_uso_es.pdf