Confinamiento del pentóxido de vanadio V2O5 y la influencia del tamaño en sus propiedades ópticas

El pentóxido de vanadio V2O5 es un semiconductor que podría fundamentar aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos, fotovoltaicos, memorias RRAMs o PCM de consumo optimizados un comportamiento no-ohmico relacionado con la presencia de vacancias de oxígeno y exhibir un gap óptico de 2.3 eV estas p...

Full description

Autores:

Hernandez Gomez, Daniel Fabian

Tipo de recurso:

Trabajo de grado de pregrado

Fecha de publicación:

2021

Institución:

Universidad de los Andes

Repositorio:

Séneca: repositorio Uniandes

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.uniandes.edu.co:1992/56537

Acceso en línea:

http://hdl.handle.net/1992/56537

Palabra clave:

Pentóxido de vanadio V2O5
Nanopartículas
Confinamiento
Gap de energía óptico
Gap de energía electrónico
Gap de energía directo
Gap de energía indirecto
Sol gel no acuoso
Difracción de rayos X
Espectroscopia Raman
Espectroscopia ultravioleta visible
Método de Tauc
Desviación estándar del método de Tauc
Vacancias de oxígeno
Intensidad Raman
Corrimiento Raman
Teoría del funcional de densidad
Temperatura de calcinación
Óxidos metálicos Vanadium Pentoxide V2O5
Nanoparticles
Confinement
Optical Band Gap
Electronic Band Gap
Direct Band Gap
Indirect Band Gap
Nonaqueous Sol Gel
X Ray Diffraction
Raman Spectroscopy
Ultraviolet Visible Spectroscopy
Tauc Plot Method
Standard Deviation of Tauc Plot Method
Oxygen vacancies
Raman Intensity
Raman Shift
Density Functional Theory
Calcination Temperature
Metal oxides
Física

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openAccess

License

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/