Sistema de caracterización y verificación de parámetros reales en dispositivos semiconductores

En el desarrollo de sistemas electrónicos, componentes fundamentales como diodos, transistores y mosfets desempeñan un papel crucial. A menudo, el diseño se basa en las especificaciones de sus hojas de datos, sin embargo, los dispositivos físicos frecuentemente presentan variaciones que no coinciden con estos valores, lo cual puede impactar el rendimiento y la estabilidad del sistema diseñado.Se realizo un sistema de caracterización de parámetros eléctricos en dispositivos semiconductores, que incluyen diodos, transistores bipolares y mosfets, se introduce en el documento. El propósito concreto era medir y comprobar la exactitud de un grupo determinado de parámetros que se pueden evaluar en función de la variabilidad real de los dispositivos, en contraposición a los valores de lectura típicos en las hojas de datos. El sistema de medición midió el voltaje directo entre 0,2 y 4,6 V con una exactitud de 0,1 V, mientras que la ganancia de la corriente (Hfe o Spit) fue medida entre 50 y 300 con una precisión 1. El voltaje de saturación del colector-emisor en BJTs entre 0,1 y 3,3 V; voltaje del umbral gate-source en MOSFETs de canal N and P entre 1 y 5 V y -1 y -5 V respectivamente; la resistencia de activación (RDS) en MOSFETs, donde rango fue entre 1 MΩ a 1 Ω; voltaje directo en diodos Zener entre 3 y 12 V, con una exactitud de 0,1 V. En términos de interrupción de sobrecargas, el sistema implementó un limitador de corriente que, según la situación, evitaba sobrecargas en los elementos. El Sistema se controla desde un Stm 32 con su codigo en c++ para el control de cada subsistema creado en relacion a cada parametro que se visualizaria en consola , proporcionando una base válida para la evaluación de semiconductores en condiciones de uso.

• Autores: Franco Rincon, Cristian David
• Tipo de recurso: https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
• Fecha de publicación: 2024
• Institución: Universidad El Bosque
• Repositorio: Repositorio U. El Bosque
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13541
• Acceso en línea: https://hdl.handle.net/20.500.12495/13541
• Palabra clave: Sistemas electrónicos; Diodos; Transistores; MOSFETs; Hojas de datos; Parámetros eléctricos; Dispositivos semiconductores; Voltaje directo; Voltaje de saturación colector-emisor; Voltaje umbral gate-source en mosfets; Resistencia drain source de activacion; Voltaje zenner; 621.381; electronic systems; Diodes; Transistors; MOSFETs; Datasheets; Electrical parameters; Semiconductor devices; Forward voltage; Collector-emitter saturation voltage; Gate-source threshold voltage in MOSFETs; Drain-source on-resistance; Zener voltage
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