Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores
En la actualidad en la industria electrónica, uno de los principales problemas es la variabilidad en la calidad de los componentes semiconductores, como diodos, transistores y MOSFET. Esto se ha vuelto más complicado con la presencia de componentes falsificados o defectuosos, que no cumplen con las...
- Autores:
-
Vasquez Mora, Nicolas Arturo
Pulido Guauta, Diego Alejandro
- Tipo de recurso:
- https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
- Fecha de publicación:
- 2025
- Institución:
- Universidad El Bosque
- Repositorio:
- Repositorio U. El Bosque
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14220
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/20.500.12495/14220
- Palabra clave:
- Semiconductores
Medición
Verificación
Datasheets
621.381
Semiconductors
Measurement
Verification
Datasheets
- Rights
- License
- Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
| id |
UNBOSQUE2_a8ff2ab6bc73e7c13fb2aa5827ddf52e |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14220 |
| network_acronym_str |
UNBOSQUE2 |
| network_name_str |
Repositorio U. El Bosque |
| repository_id_str |
|
| dc.title.none.fl_str_mv |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| dc.title.translated.none.fl_str_mv |
Design of a test system for semiconductor components |
| title |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| spellingShingle |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores Semiconductores Medición Verificación Datasheets 621.381 Semiconductors Measurement Verification Datasheets |
| title_short |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| title_full |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| title_fullStr |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| title_full_unstemmed |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| title_sort |
Diseño de un sistema de prueba para componentes semiconductores |
| dc.creator.fl_str_mv |
Vasquez Mora, Nicolas Arturo Pulido Guauta, Diego Alejandro |
| dc.contributor.advisor.none.fl_str_mv |
Ariza, Holman |
| dc.contributor.author.none.fl_str_mv |
Vasquez Mora, Nicolas Arturo Pulido Guauta, Diego Alejandro |
| dc.subject.none.fl_str_mv |
Semiconductores Medición Verificación Datasheets |
| topic |
Semiconductores Medición Verificación Datasheets 621.381 Semiconductors Measurement Verification Datasheets |
| dc.subject.ddc.none.fl_str_mv |
621.381 |
| dc.subject.keywords.none.fl_str_mv |
Semiconductors Measurement Verification Datasheets |
| description |
En la actualidad en la industria electrónica, uno de los principales problemas es la variabilidad en la calidad de los componentes semiconductores, como diodos, transistores y MOSFET. Esto se ha vuelto más complicado con la presencia de componentes falsificados o defectuosos, que no cumplen con las especificaciones indicadas por los fabricantes, estos componentes problemáticos pueden generar fallos o un rendimiento deficiente en los circuitos, lo cual es especialmente crítico en aplicaciones donde la precisión es esencial. Para enfrentar este desafío, se diseño un sistema automatizado que permite medir los parámetros clave de estos componentes, como la tensión directa de los diodos o la ganancia de los transistores. Al comparar estos valores con los datos del fabricante, se puede identificar rápidamente si un componente es defectuoso o falso. De esta manera, el sistema no solo mejora la calidad y fiabilidad de los circuitos, sino que también ayuda a garantizar que los componentes utilizados sean realmente los adecuados para cada aplicación. |
| publishDate |
2025 |
| dc.date.accessioned.none.fl_str_mv |
2025-03-31T16:05:19Z |
| dc.date.available.none.fl_str_mv |
2025-03-31T16:05:19Z |
| dc.date.issued.none.fl_str_mv |
2025-01 |
| dc.type.coar.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
| dc.type.local.spa.fl_str_mv |
Tesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado |
| dc.type.coar.none.fl_str_mv |
https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
| dc.type.driver.none.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/bachelorThesis |
| dc.type.coarversion.none.fl_str_mv |
https://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa |
| format |
https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f |
| dc.identifier.uri.none.fl_str_mv |
https://hdl.handle.net/20.500.12495/14220 |
| dc.identifier.instname.spa.fl_str_mv |
instname:Universidad El Bosque |
| dc.identifier.reponame.spa.fl_str_mv |
reponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosque |
| dc.identifier.repourl.none.fl_str_mv |
repourl:https://repositorio.unbosque.edu.co |
| url |
https://hdl.handle.net/20.500.12495/14220 |
| identifier_str_mv |
instname:Universidad El Bosque reponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosque repourl:https://repositorio.unbosque.edu.co |
| dc.language.iso.fl_str_mv |
spa |
| language |
spa |
| dc.relation.references.none.fl_str_mv |
[1] Peakelec, "DCA75 - DCA Pro Semiconductor Analyser," Peakelec, .Disponible en: https://www.peakelec.co.uk/acatalog/dca75-dca-pro-semiconductor-analyser.html [2] Keysight, "B2902A Precision Source/Measure Unit, 2-Ch, 100fA–210V, 3A DC, 10–5A Pulse," Keysight Technologies. Disponible en: https://www.keysight.com/us/en/product/B2902A/precision-source-measure-unit-2-ch-100fa-210v-3a-dc-10-5a-pulse.html [3] R. F. Pierret, “Semiconductores: Física y Tecnología,” 2ª ed., Addison-Wesley Iberoamericana, 2003, pp. 25-30. [4] Umaker Group, "Diodo Zener," [Enlace]. Disponible en: https://umakergroup.com/diodo-zener/ [5] Vecteezy, "Transistor y símbolo NPN y PNP transistores," [Enlace]. Disponible en: https://es.vecteezy.com/arte-vectorial/25747544-transistor-y-simbolo-npn-y-pnp-transistores [6] R. Boylestad y L. Nashelsky, Dispositivos electrónicos y teoría de circuitos, 9ª ed. México, D.F., México: Pearson Prentice Hall, 2007, pp. 318-324. [7] J. Pérez y M. Rodríguez, "Aplicaciones y características de los diodos Zener," Revista Española de Electrónica, vol. 32, no. 5, pp. 1001-1005, 2009. [8] J. Boylestad y L. Nashelsky, Electrónica: Principios y aplicaciones, 9ª ed. Prentice Hall, 2006, pp. 320-325. [9] K. Rodríguez y J. Sánchez, "Caracterización de MOSFETs para aplicaciones de alta velocidad," Revista IEEE de Dispositivos Electrónicos, vol. 60, no. 12, pp. 2850-2856, 2003. [10] M. A. Z. Al Faruque, M. A. Z. Shamsuddin, M. S. Bin Ibrahim, "Modelado y simulación de las características de los transistores MOSFET", Revista de Electrónica y Comunicación, vol. 3, no. 2, pp. 39-46, 2018. [11] Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2020). Microelectronic Circuits (8a ed.). Oxford University Press. Manual avanzado sobre MOSFET y diseño de circuitos electrónicos. [12] Razavi, B. (2019). Design of Analog CMOS Integrated Circuits (2a ed.). McGraw-Hill. Fundamentos sobre el diseño y análisis de circuitos electrónicos basados en semiconductores. [13] Texas Instruments. (2023). Measuring RDSON of MOSFETs. Recuperado de https://www.ti.com Guía técnica sobre medición de resistencia de drenaje. [14] Horowitz, P., & Hill, W. (2015). The Art of Electronics (3a ed.). Cambridge University Press. Libro esencial sobre diseño electrónico práctico. [15] Owen, M. (2022). Voltage Drop and Its Implications in Semiconductor Testing. IEEE Transactions on Electronics, 28(4), 78-85. Estudio técnico sobre medición de caída de voltaje en semiconductores. [16] Balch, M. (2021). Complete Guide to Arduino Projects for Engineers. McGraw-Hill Education. Guía práctica sobre proyectos de Arduino aplicados a la ingeniería electrónica. [17] González, R. G., & Díaz, P. L. (2020). Implementación de sistemas de medición con Arduino: Aplicaciones prácticas en electrónica. Revista Iberoamericana de Electrónica, 12(4), 89-104. Artículo técnico que describe el uso de Arduino en la medición de parámetros electrónicos. [18] López, J. M., & Hernández, C. (2021). Pruebas y caracterización de dispositivos MOSFET: Un enfoque práctico. Revista de Ingeniería Electrónica, 35(2), 145-160. Publicación que detalla cómo caracterizar y medir MOSFETs en laboratorios de electrónica. [19] R. J. Baker, "CMOS: Circuitos y Sistemas", 2ª ed., McGraw-Hill, 2006. [20] Sze, S. M. y K. K. Ng, Física de Dispositivos Semiconductores, 3ra ed., Wiley-Interscience, 2007, pp. 430-440 [21] Texas Instruments, "LM317 Adjustable Regulator," datasheet, 2020. [Enlace: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm317.pdf] [22] Precisión y estabilidad de los circuitos de fuentes de corriente basados en BJT", J. J. Allen y M. T. M. Hsia, Revista IEEE sobre Electrónica Industrial, vol. 60, no. 5, pp. 1862-1869, mayo de 2013. [23] Texas Instruments, "LM741 Operational Amplifier Datasheet," Texas Instruments, 2009. Enlace: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm741.pdf. [24] J. A. Ruiz y M. S. López, Electrónica Analógica: Fundamentos y aplicaciones, 2ª ed. Madrid, España: McGraw-Hill, 2014. |
| dc.rights.en.fl_str_mv |
Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International |
| dc.rights.coar.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| dc.rights.uri.none.fl_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ |
| dc.rights.local.spa.fl_str_mv |
Acceso abierto |
| dc.rights.accessrights.none.fl_str_mv |
https://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| rights_invalid_str_mv |
Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/ Acceso abierto https://purl.org/coar/access_right/c_abf2 http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| dc.format.mimetype.none.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.publisher.program.spa.fl_str_mv |
Ingeniería Electrónica |
| dc.publisher.grantor.spa.fl_str_mv |
Universidad El Bosque |
| dc.publisher.faculty.spa.fl_str_mv |
Facultad de Ingeniería |
| institution |
Universidad El Bosque |
| bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/ac64f0f7-1154-4d21-8a37-455851d32134/download https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/1ae9f1d9-e88f-4fdf-aa20-0d1fc273fe7c/download https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/b987fb9a-013d-4c8f-a059-ac45b2923f76/download https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/59cb992a-eb18-4720-bbc6-801b1c07a36f/download https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/7d76e290-fd9a-4a0b-a729-7cd4bf9586ff/download https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/3553de76-50c0-40b6-9302-c68f47e37abe/download https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/a888a960-ada3-4efe-8f21-992bb3b3a857/download |
| bitstream.checksum.fl_str_mv |
17cc15b951e7cc6b3728a574117320f9 3dd0040edde7933f19417925bf77c687 1a782783eed20f693025277dcc4b6804 92ec067f478f084015bb3975db695d20 5643bfd9bcf29d560eeec56d584edaa9 1b74f73653610db8bcc37eae8535ead8 13205d669e6838ed96151ac3f2a3ce55 |
| bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 MD5 |
| repository.name.fl_str_mv |
Repositorio Institucional Universidad El Bosque |
| repository.mail.fl_str_mv |
bibliotecas@biteca.com |
| _version_ |
1831931447755145216 |
| spelling |
Ariza, HolmanVasquez Mora, Nicolas ArturoPulido Guauta, Diego Alejandro2025-03-31T16:05:19Z2025-03-31T16:05:19Z2025-01https://hdl.handle.net/20.500.12495/14220instname:Universidad El Bosquereponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosquerepourl:https://repositorio.unbosque.edu.coEn la actualidad en la industria electrónica, uno de los principales problemas es la variabilidad en la calidad de los componentes semiconductores, como diodos, transistores y MOSFET. Esto se ha vuelto más complicado con la presencia de componentes falsificados o defectuosos, que no cumplen con las especificaciones indicadas por los fabricantes, estos componentes problemáticos pueden generar fallos o un rendimiento deficiente en los circuitos, lo cual es especialmente crítico en aplicaciones donde la precisión es esencial. Para enfrentar este desafío, se diseño un sistema automatizado que permite medir los parámetros clave de estos componentes, como la tensión directa de los diodos o la ganancia de los transistores. Al comparar estos valores con los datos del fabricante, se puede identificar rápidamente si un componente es defectuoso o falso. De esta manera, el sistema no solo mejora la calidad y fiabilidad de los circuitos, sino que también ayuda a garantizar que los componentes utilizados sean realmente los adecuados para cada aplicación.Ingeniero ElectrónicoPregradoIn the electronics industry, one of the main challenges is the variability in the quality of semiconductor components, such as diodes, transistors, and MOSFETs. This problem has become more complicated with the presence of counterfeit or defective components that do not meet the specifications provided by manufacturers. These problematic components can lead to failures or subpar performance in circuits, which is particularly critical in applications where precision is essential. To tackle this issue, an automated system was developed to measure the key parameters of these components, such as the forward voltage of diodes or the gain of transistors. By comparing these values with the manufacturer’s datasheets, the system can quickly identify if a component is defective or counterfeit. In this way, the system not only improves the quality and reliability of circuits but also ensures that the components used are truly the right ones for each application.application/pdfAttribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttps://purl.org/coar/access_right/c_abf2http://purl.org/coar/access_right/c_abf2SemiconductoresMediciónVerificaciónDatasheets621.381SemiconductorsMeasurementVerificationDatasheetsDiseño de un sistema de prueba para componentes semiconductoresDesign of a test system for semiconductor componentsIngeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1] Peakelec, "DCA75 - DCA Pro Semiconductor Analyser," Peakelec, .Disponible en: https://www.peakelec.co.uk/acatalog/dca75-dca-pro-semiconductor-analyser.html[2] Keysight, "B2902A Precision Source/Measure Unit, 2-Ch, 100fA–210V, 3A DC, 10–5A Pulse," Keysight Technologies. Disponible en: https://www.keysight.com/us/en/product/B2902A/precision-source-measure-unit-2-ch-100fa-210v-3a-dc-10-5a-pulse.html[3] R. F. Pierret, “Semiconductores: Física y Tecnología,” 2ª ed., Addison-Wesley Iberoamericana, 2003, pp. 25-30.[4] Umaker Group, "Diodo Zener," [Enlace]. Disponible en: https://umakergroup.com/diodo-zener/[5] Vecteezy, "Transistor y símbolo NPN y PNP transistores," [Enlace]. Disponible en: https://es.vecteezy.com/arte-vectorial/25747544-transistor-y-simbolo-npn-y-pnp-transistores[6] R. Boylestad y L. Nashelsky, Dispositivos electrónicos y teoría de circuitos, 9ª ed. México, D.F., México: Pearson Prentice Hall, 2007, pp. 318-324.[7] J. Pérez y M. Rodríguez, "Aplicaciones y características de los diodos Zener," Revista Española de Electrónica, vol. 32, no. 5, pp. 1001-1005, 2009.[8] J. Boylestad y L. Nashelsky, Electrónica: Principios y aplicaciones, 9ª ed. Prentice Hall, 2006, pp. 320-325.[9] K. Rodríguez y J. Sánchez, "Caracterización de MOSFETs para aplicaciones de alta velocidad," Revista IEEE de Dispositivos Electrónicos, vol. 60, no. 12, pp. 2850-2856, 2003.[10] M. A. Z. Al Faruque, M. A. Z. Shamsuddin, M. S. Bin Ibrahim, "Modelado y simulación de las características de los transistores MOSFET", Revista de Electrónica y Comunicación, vol. 3, no. 2, pp. 39-46, 2018.[11] Sedra, A. S., & Smith, K. C. (2020). Microelectronic Circuits (8a ed.). Oxford University Press. Manual avanzado sobre MOSFET y diseño de circuitos electrónicos.[12] Razavi, B. (2019). Design of Analog CMOS Integrated Circuits (2a ed.). McGraw-Hill. Fundamentos sobre el diseño y análisis de circuitos electrónicos basados en semiconductores.[13] Texas Instruments. (2023). Measuring RDSON of MOSFETs. Recuperado de https://www.ti.com Guía técnica sobre medición de resistencia de drenaje.[14] Horowitz, P., & Hill, W. (2015). The Art of Electronics (3a ed.). Cambridge University Press. Libro esencial sobre diseño electrónico práctico.[15] Owen, M. (2022). Voltage Drop and Its Implications in Semiconductor Testing. IEEE Transactions on Electronics, 28(4), 78-85. Estudio técnico sobre medición de caída de voltaje en semiconductores.[16] Balch, M. (2021). Complete Guide to Arduino Projects for Engineers. McGraw-Hill Education. Guía práctica sobre proyectos de Arduino aplicados a la ingeniería electrónica.[17] González, R. G., & Díaz, P. L. (2020). Implementación de sistemas de medición con Arduino: Aplicaciones prácticas en electrónica. Revista Iberoamericana de Electrónica, 12(4), 89-104. Artículo técnico que describe el uso de Arduino en la medición de parámetros electrónicos.[18] López, J. M., & Hernández, C. (2021). Pruebas y caracterización de dispositivos MOSFET: Un enfoque práctico. Revista de Ingeniería Electrónica, 35(2), 145-160. Publicación que detalla cómo caracterizar y medir MOSFETs en laboratorios de electrónica.[19] R. J. Baker, "CMOS: Circuitos y Sistemas", 2ª ed., McGraw-Hill, 2006.[20] Sze, S. M. y K. K. Ng, Física de Dispositivos Semiconductores, 3ra ed., Wiley-Interscience, 2007, pp. 430-440[21] Texas Instruments, "LM317 Adjustable Regulator," datasheet, 2020. [Enlace: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm317.pdf][22] Precisión y estabilidad de los circuitos de fuentes de corriente basados en BJT", J. J. Allen y M. T. M. Hsia, Revista IEEE sobre Electrónica Industrial, vol. 60, no. 5, pp. 1862-1869, mayo de 2013.[23] Texas Instruments, "LM741 Operational Amplifier Datasheet," Texas Instruments, 2009. Enlace: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm741.pdf.[24] J. A. Ruiz y M. S. López, Electrónica Analógica: Fundamentos y aplicaciones, 2ª ed. Madrid, España: McGraw-Hill, 2014.spaLICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-82000https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/ac64f0f7-1154-4d21-8a37-455851d32134/download17cc15b951e7cc6b3728a574117320f9MD56Carta de autorizacion.pdfapplication/pdf172331https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/1ae9f1d9-e88f-4fdf-aa20-0d1fc273fe7c/download3dd0040edde7933f19417925bf77c687MD512Anexo 1 acta de aprobacion.pdfapplication/pdf208910https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/b987fb9a-013d-4c8f-a059-ac45b2923f76/download1a782783eed20f693025277dcc4b6804MD513ORIGINALTrabajo de grado.pdfTrabajo de grado.pdfapplication/pdf5164931https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/59cb992a-eb18-4720-bbc6-801b1c07a36f/download92ec067f478f084015bb3975db695d20MD510CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-81160https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/7d76e290-fd9a-4a0b-a729-7cd4bf9586ff/download5643bfd9bcf29d560eeec56d584edaa9MD511TEXTTrabajo de grado.pdf.txtTrabajo de grado.pdf.txtExtracted texttext/plain102619https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/3553de76-50c0-40b6-9302-c68f47e37abe/download1b74f73653610db8bcc37eae8535ead8MD514THUMBNAILTrabajo de grado.pdf.jpgTrabajo de grado.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg2636https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/a888a960-ada3-4efe-8f21-992bb3b3a857/download13205d669e6838ed96151ac3f2a3ce55MD51520.500.12495/14220oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/142202025-04-01 05:09:21.42http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Internationalopen.accesshttps://repositorio.unbosque.edu.coRepositorio Institucional Universidad El Bosquebibliotecas@biteca.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 |