Sistema de medición de parámetros en dispositivos semiconductores

Este proyecto se enfocó en el diseño y simulación de un sistema de medición para evaluar parámetros fundamentales de componentes semiconductores, con el fin de reducir las discrepancias entre los valores especificados en los datasheets y los obtenidos en la práctica. Estas discrepancias representan un problema crítico en la industria electrónica, afectando tanto a estudiantes como a sistemas de alta confiabilidad en aplicaciones como la aviación y la medicina. Entre las causas de estas variaciones se encuentran la falsificación de componentes, los defectos de fabricación, las condiciones de operación y la deficiencia en la calidad de componentes descontinuados. Estos factores pueden provocar que los valores reales de los parámetros no coincidan con los especificados, comprometiendo la seguridad y el rendimiento de los sistemas electrónicos. El sistema propuesto en este proyecto mide los siguientes parámetros: el voltaje directo () de un diodo, la ganancia de corriente DC (/) de un transistor bipolar, el voltaje colector-emisor de saturación (()) en transistores BJT, el voltaje umbral puerta-fuente ((ℎ)) en transistores MOSFET, la resistencia de encendido (()) en MOSFET y el voltaje de ruptura () en diodos Zener. Las especificaciones de medición para cada parámetro fueron las siguientes: un rango de 0.2V a 5.0V para , de 50 a 1000 para /, de 200mV a 4V para (), de 0 a 5V para (ℎ) en canal N y de 0 a -5V en canal P, de 0.05 Ω a 1 Ω para () y de 3V a 18V para . El sistema también presenta los resultados con una precisión de un decimal para voltajes, resistencias y corrientes, y con resoluciones específicas en cada medición. Los resultados obtenidos confirmaron que el sistema diseñado es capaz de realizar mediciones precisas, manteniendo un margen de error dentro de los límites establecidos, y proporcionando así una herramienta confiable para evaluar la autenticidad y calidad de los componentes semiconductores.

• Autores: Claro Julio, Angie Paola
• Tipo de recurso: https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
• Fecha de publicación: 2024
• Institución: Universidad El Bosque
• Repositorio: Repositorio U. El Bosque
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13544
• Acceso en línea: https://hdl.handle.net/20.500.12495/13544
• Palabra clave: Dispositivo semiconductor; Medición de parámetros; Transistores; Diodos; Voltaje de umbral; 621.381; Semiconductor device; Parameter measurement; Transistors; Diodes; Threshold voltage
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