Sistema de medición precisa para la caracterización de parámetros en diodos, transistores BJT y MOSFET
Se desarrolló un sistema de medición con exactitud para la caracterización de parámetros eléctricos en semiconductores, específicamente diodos, BJT (unión bipolar) y MOSFET. Para cada tipo de semiconductor, se midió el voltaje forward y voltaje de ruptura en diodos; VBE(on) y la ganancia Beta en tra...
- Autores:
-
Leon Cardenas, Jhon Sebastian
Reay Arero, Edicson Antonio
- Tipo de recurso:
- https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
- Fecha de publicación:
- 2025
- Institución:
- Universidad El Bosque
- Repositorio:
- Repositorio U. El Bosque
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14219
- Acceso en línea:
- https://hdl.handle.net/20.500.12495/14219
- Palabra clave:
- Semiconductor
Diseño
Transistor
Circuito electrónico
Microprocesador
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Semiconductors
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Microprocessors
- Rights
- License
- Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
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Se desarrolló un sistema de medición con exactitud para la caracterización de parámetros eléctricos en semiconductores, específicamente diodos, BJT (unión bipolar) y MOSFET. Para cada tipo de semiconductor, se midió el voltaje forward y voltaje de ruptura en diodos; VBE(on) y la ganancia Beta en transistores BJT tipo NPN; así como el VGS(th) y RDS(on) en transistores MOSFET de canal N. El diseño del sistema se basó en el desarrollo de un circuito, capaz de utilizar diferentes fuentes de corrientes constantes dependiendo del tipo del semiconductor a medir. Se emplearon fuentes de corriente de 20 mA para diodos, 200 mA para medir RDS(on), 250 µA para VGS(th) y 200 µA para la medición de Beta. Durante el desarrollo se integró un microcontrolador con el propósito de adquirir y mostrar en tiempo real los parámetros registrados, optimizando así los procesos de validación y selección de dispositivos. Principalmente, se obtuvo un sistema funcional que permite obtener mediciones exactas, permitiendo la validación de los valores técnicos reales de cada semiconductor independientemente del lote de fabricación. |
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Se emplearon fuentes de corriente de 20 mA para diodos, 200 mA para medir RDS(on), 250 µA para VGS(th) y 200 µA para la medición de Beta. Durante el desarrollo se integró un microcontrolador con el propósito de adquirir y mostrar en tiempo real los parámetros registrados, optimizando así los procesos de validación y selección de dispositivos. Principalmente, se obtuvo un sistema funcional que permite obtener mediciones exactas, permitiendo la validación de los valores técnicos reales de cada semiconductor independientemente del lote de fabricación.Ingeniero ElectrónicoPregradoA measurement system with accuracy was developed for the characterization of electrical parameters in semiconductors, specifically diodes, BJTs (Bipolar Junction Transistors), and MOSFETs. For each type of semiconductor, the forward voltage and breakdown voltage were measured in diodes; VBE(on) and Beta gain were measured in NPN BJT transistors; and VGS(th) and RDS(on) were measured in N-channel MOSFET transistors. The system design was based on the development of a circuit capable of using different constant current sources depending on the type of semiconductor to be measured. Current sources of 20 mA were used for diodes, 200 mA for measuring RDS(on), 250 µA for VGS(th), and 200 µA for measuring Beta. During the development, a microcontroller was integrated to acquire and display the recorded parameters in real-time, thus optimizing the validation and selection processes of devices. Primarily, a functional system was obtained that allows for accurate measurements, enabling the validation of the actual technical values of each semiconductor regardless of the manufacturing batch.application/pdfAttribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttps://purl.org/coar/access_right/c_abf2http://purl.org/coar/access_right/c_abf2SemiconductorDiseñoTransistorCircuito electrónicoMicroprocesador621.381SemiconductorsDesignTransistorsElectronic circuitsMicroprocessorsSistema de medición precisa para la caracterización de parámetros en diodos, transistores BJT y MOSFETPrecise measurement system for the characterization of parameters in diodes, BJT transistors, and MOSFETsIngeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1] TEKTRONIX, Inc., “Curve Tracers 370B - 371B”, Test- und Messgeräte | Tektronix. 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