Sistema de medición precisa para la caracterización de parámetros en diodos, transistores BJT y MOSFET

Se desarrolló un sistema de medición con exactitud para la caracterización de parámetros eléctricos en semiconductores, específicamente diodos, BJT (unión bipolar) y MOSFET. Para cada tipo de semiconductor, se midió el voltaje forward y voltaje de ruptura en diodos; VBE(on) y la ganancia Beta en tra...

Full description

Autores:

Leon Cardenas, Jhon Sebastian
Reay Arero, Edicson Antonio

Tipo de recurso:

https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f

Fecha de publicación:

2025

Institución:

Universidad El Bosque

Repositorio:

Repositorio U. El Bosque

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14219

Acceso en línea:

https://hdl.handle.net/20.500.12495/14219

Palabra clave:

Semiconductor
Diseño
Transistor
Circuito electrónico
Microprocesador
621.381
Semiconductors
Design
Transistors
Electronic circuits
Microprocessors

Rights

License

Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International