Sistema electrónico para la medición de parámetros en diodos y transistores

El proyecto aborda la discrepancia entre los valores teóricos especificados por los fabricantes en las hojas de datos de componentes electrónicos y los valores reales obtenidos, así como la incidencia de falsificaciones y defectos de fabricación que afectan el desempeño de los circuitos electrónicos...

Full description

Autores:: Rojas Montoya, Jeison Stiven
Pinilla Hernandez, Andres Felipe

Tipo de recurso:: https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f

Fecha de publicación:: 2025

Institución:: Universidad El Bosque

Repositorio:: Repositorio U. El Bosque

Idioma:: spa

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Entre los resultados más destacados se encuentran la determinación de parámetros como el voltaje umbral (Vf) con una precisión del ±0.5% y el voltaje de ruptura (Vz) con un margen de error del ±1% en diodos. Para los transistores BJT, se caracterizó el parámetro de ganancia de corriente (hFE) con una precisión del ±2% y el voltaje de saturación (VCE(sat)) con un error del ±1.5%. En los transistores MOSFET, se logró medir el voltaje umbral (VGS(th)) con una precisión del ±0.5% y la resistencia de encendido (RDS(on)) bajo condiciones controladas, con un margen de error inferior al ±2%. De esta manera, el sistema proporciona al usuario una caracterización detallada y confiable de los componentes, facilitando la evaluación de su calidad y desempeño en aplicaciones electrónicas.Ingeniero ElectrónicoPregradoThis project addresses the discrepancy between theoretical values specified by manufacturers in electronic component datasheets and the actual values obtained, as well as the impact of counterfeits and manufacturing defects on the performance of electronic circuits. An automated measurement and control system was developed to characterize semiconductor devices, specifically diodes and transistors (BJT and MOSFET). The system integrates a controlled voltage adjustment module and a feedback circuit to capture, record, and analyze component data with high precision. Key results include the determination of parameters such as the threshold voltage (Vf) with ±0.5% accuracy and the breakdown voltage (Vz) with a ±1% error margin in diodes. For BJTs, the current gain (hFE) was characterized with ±2% accuracy, and the saturation voltage (VCE(sat)) with a ±1.5% error margin. For MOSFETs, the threshold voltage (VGS(th)) was measured with ±0.5% accuracy, and the on-resistance (RDS(on)) under controlled load conditions with an error margin below ±2%. This system provides users with detailed and reliable component characterization, enabling the evaluation of quality and performance in electronic applications.application/pdfAttribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 Internationalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttps://purl.org/coar/access_right/c_abf2http://purl.org/coar/access_right/c_abf2SemiconductoresDiodosTransistoresCaracterizaciónMedición621.381SemiconductorsDiodesTransistorsCharacterizationMeasurementSistema electrónico para la medición de parámetros en diodos y transistoresElectronic system for the measurement of diode and transistor parametersIngeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1] E. G. 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Sistema electrónico para la medición de parámetros en diodos y transistores

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