Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)

Este proyecto tuvo como objetivo realizar el diseño de un sistema para la medicion de parámetros de semiconductores, específicamente para diodos, transistores BJT y Mosfet. Específicamente este sistema permite evaluar el voltaje de polarización directa en diodos, la ganancia de corriente en BJTs, el...

Full description

Autores:
Torres Abella, Daniel Alejandro
Tipo de recurso:
https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
Fecha de publicación:
2024
Institución:
Universidad El Bosque
Repositorio:
Repositorio U. El Bosque
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13545
Acceso en línea:
https://hdl.handle.net/20.500.12495/13545
Palabra clave:
Medicion de parámetros de semiconductores
Diodos y transistores
Precisión de mediciones
Control de calidad de componentes
Estabilidad de circuitos
621.381
Semiconductor parameter measurement
Diodes and transistors
Measurement precision
Component quality control
Circuit stability
Rights
License
Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
id UNBOSQUE2_1cb28394cc08a18d6f14cf4db4204458
oai_identifier_str oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13545
network_acronym_str UNBOSQUE2
network_name_str Repositorio U. El Bosque
repository_id_str
dc.title.none.fl_str_mv Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
dc.title.translated.none.fl_str_mv Design of parameter measurement system for semiconductors (Diodes, BJT and MOSFET)
title Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
spellingShingle Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
Medicion de parámetros de semiconductores
Diodos y transistores
Precisión de mediciones
Control de calidad de componentes
Estabilidad de circuitos
621.381
Semiconductor parameter measurement
Diodes and transistors
Measurement precision
Component quality control
Circuit stability
title_short Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
title_full Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
title_fullStr Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
title_full_unstemmed Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
title_sort Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)
dc.creator.fl_str_mv Torres Abella, Daniel Alejandro
dc.contributor.advisor.none.fl_str_mv García Triana, Jairo Hernán
Sabogal Gomez, Ernesto
dc.contributor.author.none.fl_str_mv Torres Abella, Daniel Alejandro
dc.subject.none.fl_str_mv Medicion de parámetros de semiconductores
Diodos y transistores
Precisión de mediciones
Control de calidad de componentes
Estabilidad de circuitos
topic Medicion de parámetros de semiconductores
Diodos y transistores
Precisión de mediciones
Control de calidad de componentes
Estabilidad de circuitos
621.381
Semiconductor parameter measurement
Diodes and transistors
Measurement precision
Component quality control
Circuit stability
dc.subject.ddc.none.fl_str_mv 621.381
dc.subject.keywords.none.fl_str_mv Semiconductor parameter measurement
Diodes and transistors
Measurement precision
Component quality control
Circuit stability
description Este proyecto tuvo como objetivo realizar el diseño de un sistema para la medicion de parámetros de semiconductores, específicamente para diodos, transistores BJT y Mosfet. Específicamente este sistema permite evaluar el voltaje de polarización directa en diodos, la ganancia de corriente en BJTs, el voltaje de saturación colector-emisor, el voltaje de umbral en Mosfets, la resistencia de drain-source y el voltaje de ruptura en diodos Zener. Este proyecto surge como respuesta a una problemática muy común en la electrónica, y es que, algunos dispositivos de baja calidad, falsificados o con algún defecto de fabrica pueden presentar valores atípicos en un parámetro de los mencionados, lo que puede afectar o hasta comprometer el rendimiento del sistema electrónico al que pertenece, para evitar esto se plantea un sistema que permita medir y caracterizar los dispositivos antes de involucrarlos en un circuito. El sistema diseñado logro cumplir con los objetivos y requerimientos planteados, alcanzando por ejemplo una precisión de ±0.05V en las mediciones de voltaje y de ±0.02mA en las mediciones de corriente de las que dependen varias mediciones. Las pruebas realizadas confirmaron que el sistema es capaz de detectar con alta precisión variaciones en los componentes que podrían señalar fallas o problemas de calidad, lo que resulta de gran valor en entornos industriales y educativos. Además, el sistema se diseñó en pro de garantizar estabilidad para cada una de las mediciones garantizando poder realizar la medicion de los parámetros en los rangos estipulados, este diseño se especificó detalladamente para lograr el fácil entendimiento y alguna posible mejora del sistema.
publishDate 2024
dc.date.accessioned.none.fl_str_mv 2024-12-03T15:18:37Z
dc.date.available.none.fl_str_mv 2024-12-03T15:18:37Z
dc.date.issued.none.fl_str_mv 2024-11
dc.type.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.local.spa.fl_str_mv Tesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregrado
dc.type.coar.none.fl_str_mv https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.type.driver.none.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/bachelorThesis
dc.type.coarversion.none.fl_str_mv https://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
format https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv https://hdl.handle.net/20.500.12495/13545
dc.identifier.instname.spa.fl_str_mv instname:Universidad El Bosque
dc.identifier.reponame.spa.fl_str_mv reponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosque
dc.identifier.repourl.none.fl_str_mv repourl:https://repositorio.unbosque.edu.co
url https://hdl.handle.net/20.500.12495/13545
identifier_str_mv instname:Universidad El Bosque
reponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosque
repourl:https://repositorio.unbosque.edu.co
dc.language.iso.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.references.none.fl_str_mv [1]. “Peak Atlas DCA model DCA55 | Peak Electronic Design Limited”, Welcome to Peak Electronic Design Limited. [En línea]. Disponible: https://www.peakelec.co.uk/acatalog/dca55-atlas-dca-semiconductor-analyser.html
[2] Andrés. “Probador Multicomponentes Mega328 Tester LCR-T4 ESR + Caja Acrílico - Electronilab”, Electronilab. [En línea]. Disponible: https://electronilab.co/tienda/probador-multicomponentes-mega328-tester-lcr-t4-esr-caja-acrilico
[3] “Curve Tracers”, Test- und Messgeräte | Tektronix. [En línea]. Disponible: https://www.tek.com/en/datasheet/370b-371b-curve-tracers
[4] J. M. Martín-Sánchez and A. C. Laso, "Review on the Thermal Parameters Applications in the Reliability of Power Semiconductor Device", 2023 IEEE International Conference on Power Electronics and Energy Systems (ICPEES), Bengaluru, India, 2023, pp. 178-184. doi: 10.1109/ICPEES56312.2023.10583571.
[5] M. Pecht and S. Tiku, "Bogus: Electronic Manufacturing and Consumers Confront a Rising Tide of Counterfeit Electronics", IEEE Spectrum, vol. 43, no. 5, pp. 37-46, May 2006. doi: 10.1109/MSPEC.2006.1628508.
[6] S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken, NJ, USA: Wiley-Interscience, 2006.
[7] P. Horowitz y W. Hill, Art of electronics, 3a ed. New York: Cambridge Univ. Press, 2015.
[8] R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, 2nd ed. Boston, MA: Pearson, 2003.
[9] S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken, NJ: Wiley-Interscience, 2006.
[10] R. L. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 11th ed. Boston, MA: Pearson, 2012.
[11] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 11th ed., Pearson, 2013, pp. 241-245.
[12] A. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 7th ed., Oxford University Press, 2015, pp. 110-115.
[13] S. Franco, Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits, 4th ed., McGraw-Hill Education, 2014.
[14] J. Millman y A. Grabel, Microelectronics, 2nd ed., McGraw-Hill, 1987, pp. 150-155.
[15] D. A. Johns and K. W. Martin, Analog Integrated Circuit Design. New York, NY, USA: Wiley, 1997.
[16] R. Coughlin y F. Driscoll, Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits, 6th ed., Prentice Hall, 2001, pp. 90-95.
[17] Vishay, “Small Signal Fast Switching Diodes”, 1N4448, datasheet, Jun. 2024, [En línea], Disponible: https://www.vishay.com/docs/81858/1n4448.pdf.
[18] Diotec Semiconductor, “BAT54 Small Signal Fast Switching Diodes”, Feb 2024, [En línea], Disponible: https://diotec.com/request/datasheet/bat54.pdf
[19] Onsemi, “2N3904 NPN General - Purpose Amplifier”, 2016. [En línea], Disponible: https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/2n3903-d.pdf
[20] Topdiode, “2N2907 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor”, [En línea], Disponible: https://www.topdiode.com/pdf/2N2907-2N2907A.pdf.
[21] Infineon, “IRF3710PbF” , Datasheet, Jul 2010, [En línea], Disponible: https://www.infineon.com/dgdl/irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947.
[22] Infineon, “IRF5305PbF”, Datasheet, Ago 2003, [En línea], Disponible: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRF5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993.
[23] Infineon, “IRLZ44NPbF”, Datasheet, Nov 2003, [En línea], Disponible: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFZ44N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d.
[24] STMicroelectronics, “N-channel 60 V, 1.8 Ω, 0.35 A, SOT23-3L, TO-92 STripFET™ Power MOSFET”, 2N7000, Rev 9, Nov 2008. [En línea], Disponible: https://www.st.com/resource/en/datasheet/cd00005134.pdf
[25] Vishay, “Small Signal Zener Diodes”, BZX55C6V2, Datasheet, Rev 1.9, Jun 2024. [En línea], Disponible: https://www.vishay.com/docs/85604/bzx55.pdf
[26] Taiwan Semiconductor, “1W, 10V - 200V Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode”, 1N4740A, Ene 2023. [En línea], Disponible: https://services.taiwansemi.com/storage/resources/datasheet/1N4740A%20SERIES_O2104.pdf
dc.rights.en.fl_str_mv Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
dc.rights.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rights.uri.none.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rights.local.spa.fl_str_mv Acceso abierto
dc.rights.accessrights.none.fl_str_mv http:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/
rights_invalid_str_mv Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional
http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
Acceso abierto
http:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.format.mimetype.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.program.spa.fl_str_mv Ingeniería Electrónica
dc.publisher.grantor.spa.fl_str_mv Universidad El Bosque
dc.publisher.faculty.spa.fl_str_mv Facultad de Ingeniería
institution Universidad El Bosque
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/05ea48e5-f758-4d6c-b100-bc8ee5d01930/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/44ab309b-450f-4f31-9fad-a32c28dc82bf/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/e32618da-96fe-4db7-adf4-1b21fdb2939e/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/4d9bd33a-2f5f-47a1-8202-d2fddf09011c/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/0aa50cd3-a678-4242-94ef-fff2833683b3/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/fd95facd-6db7-4745-af72-ea3628b5fc00/download
https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/e0745832-df34-45ad-abde-808a3fd63cd2/download
bitstream.checksum.fl_str_mv f6d634475acc425a99fde56974e91401
17cc15b951e7cc6b3728a574117320f9
6ed59d8c86886ba4cf05ccd30843bc19
98b4c77f27f1bcde4394abf09735f423
5643bfd9bcf29d560eeec56d584edaa9
6a79a143e242bdc0251f8124e70c500a
768dcd7cf44d374b64f54f895ece7de7
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional Universidad El Bosque
repository.mail.fl_str_mv bibliotecas@biteca.com
_version_ 1828164416403668992
spelling García Triana, Jairo HernánSabogal Gomez, ErnestoTorres Abella, Daniel Alejandro2024-12-03T15:18:37Z2024-12-03T15:18:37Z2024-11https://hdl.handle.net/20.500.12495/13545instname:Universidad El Bosquereponame:Repositorio Institucional Universidad El Bosquerepourl:https://repositorio.unbosque.edu.coEste proyecto tuvo como objetivo realizar el diseño de un sistema para la medicion de parámetros de semiconductores, específicamente para diodos, transistores BJT y Mosfet. Específicamente este sistema permite evaluar el voltaje de polarización directa en diodos, la ganancia de corriente en BJTs, el voltaje de saturación colector-emisor, el voltaje de umbral en Mosfets, la resistencia de drain-source y el voltaje de ruptura en diodos Zener. Este proyecto surge como respuesta a una problemática muy común en la electrónica, y es que, algunos dispositivos de baja calidad, falsificados o con algún defecto de fabrica pueden presentar valores atípicos en un parámetro de los mencionados, lo que puede afectar o hasta comprometer el rendimiento del sistema electrónico al que pertenece, para evitar esto se plantea un sistema que permita medir y caracterizar los dispositivos antes de involucrarlos en un circuito. El sistema diseñado logro cumplir con los objetivos y requerimientos planteados, alcanzando por ejemplo una precisión de ±0.05V en las mediciones de voltaje y de ±0.02mA en las mediciones de corriente de las que dependen varias mediciones. Las pruebas realizadas confirmaron que el sistema es capaz de detectar con alta precisión variaciones en los componentes que podrían señalar fallas o problemas de calidad, lo que resulta de gran valor en entornos industriales y educativos. Además, el sistema se diseñó en pro de garantizar estabilidad para cada una de las mediciones garantizando poder realizar la medicion de los parámetros en los rangos estipulados, este diseño se especificó detalladamente para lograr el fácil entendimiento y alguna posible mejora del sistema.Ingeniero ElectrónicoPregradoThe objective of this project was to design a system for measuring semiconductor parameters, specifically for diodes, BJT transistors, and MOSFETs. This system enables the evaluation of forward voltage in diodes, current gain in BJTs, collector-emitter saturation voltage, threshold voltage in MOSFETs, drain-source resistance, and breakdown voltage in Zener diodes. This project addresses a common issue in electronics: some low-quality, counterfeit, or defective devices can exhibit atypical values in one of these parameters, which can affect or even compromise the performance of the electronic system in which they are used. To prevent this, a system is proposed that measures and characterizes components before they are integrated into a circuit. The designed system successfully met the stated objectives and requirements, achieving, for instance, a precision of ±0.05V in voltage measurements and ±0.02mA in current measurements, which are essential for several evaluations. Tests confirmed that the system can accurately detect variations in components that may indicate faults or quality issues, which is highly valuable in both industrial and educational settings. Furthermore, the system was designed to ensure stability in each measurement, allowing parameters to be assessed within the stipulated ranges. The design was specified in detail to facilitate understanding and allow for potential future improvements.application/pdfAtribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacionalhttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Acceso abiertohttp:/purl.org/coar/access_right/c_abf2/http://purl.org/coar/access_right/c_abf2Medicion de parámetros de semiconductoresDiodos y transistoresPrecisión de medicionesControl de calidad de componentesEstabilidad de circuitos621.381Semiconductor parameter measurementDiodes and transistorsMeasurement precisionComponent quality controlCircuit stabilityDiseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)Design of parameter measurement system for semiconductors (Diodes, BJT and MOSFET)Ingeniería ElectrónicaUniversidad El BosqueFacultad de IngenieríaTesis/Trabajo de grado - Monografía - Pregradohttps://purl.org/coar/resource_type/c_7a1fhttp://purl.org/coar/resource_type/c_7a1finfo:eu-repo/semantics/bachelorThesishttps://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa[1]. “Peak Atlas DCA model DCA55 | Peak Electronic Design Limited”, Welcome to Peak Electronic Design Limited. [En línea]. Disponible: https://www.peakelec.co.uk/acatalog/dca55-atlas-dca-semiconductor-analyser.html[2] Andrés. “Probador Multicomponentes Mega328 Tester LCR-T4 ESR + Caja Acrílico - Electronilab”, Electronilab. [En línea]. Disponible: https://electronilab.co/tienda/probador-multicomponentes-mega328-tester-lcr-t4-esr-caja-acrilico[3] “Curve Tracers”, Test- und Messgeräte | Tektronix. [En línea]. Disponible: https://www.tek.com/en/datasheet/370b-371b-curve-tracers[4] J. M. Martín-Sánchez and A. C. Laso, "Review on the Thermal Parameters Applications in the Reliability of Power Semiconductor Device", 2023 IEEE International Conference on Power Electronics and Energy Systems (ICPEES), Bengaluru, India, 2023, pp. 178-184. doi: 10.1109/ICPEES56312.2023.10583571.[5] M. Pecht and S. Tiku, "Bogus: Electronic Manufacturing and Consumers Confront a Rising Tide of Counterfeit Electronics", IEEE Spectrum, vol. 43, no. 5, pp. 37-46, May 2006. doi: 10.1109/MSPEC.2006.1628508.[6] S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken, NJ, USA: Wiley-Interscience, 2006.[7] P. Horowitz y W. Hill, Art of electronics, 3a ed. New York: Cambridge Univ. Press, 2015.[8] R. F. Pierret, Semiconductor Device Fundamentals, 2nd ed. Boston, MA: Pearson, 2003.[9] S. M. Sze and K. K. Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3rd ed. Hoboken, NJ: Wiley-Interscience, 2006.[10] R. L. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 11th ed. Boston, MA: Pearson, 2012.[11] R. Boylestad y L. Nashelsky, Electronic Devices and Circuit Theory, 11th ed., Pearson, 2013, pp. 241-245.[12] A. Sedra y K. C. Smith, Microelectronic Circuits, 7th ed., Oxford University Press, 2015, pp. 110-115.[13] S. Franco, Design with Operational Amplifiers and Analog Integrated Circuits, 4th ed., McGraw-Hill Education, 2014.[14] J. Millman y A. Grabel, Microelectronics, 2nd ed., McGraw-Hill, 1987, pp. 150-155.[15] D. A. Johns and K. W. Martin, Analog Integrated Circuit Design. New York, NY, USA: Wiley, 1997.[16] R. Coughlin y F. Driscoll, Operational Amplifiers and Linear Integrated Circuits, 6th ed., Prentice Hall, 2001, pp. 90-95.[17] Vishay, “Small Signal Fast Switching Diodes”, 1N4448, datasheet, Jun. 2024, [En línea], Disponible: https://www.vishay.com/docs/81858/1n4448.pdf.[18] Diotec Semiconductor, “BAT54 Small Signal Fast Switching Diodes”, Feb 2024, [En línea], Disponible: https://diotec.com/request/datasheet/bat54.pdf[19] Onsemi, “2N3904 NPN General - Purpose Amplifier”, 2016. [En línea], Disponible: https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/2n3903-d.pdf[20] Topdiode, “2N2907 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor”, [En línea], Disponible: https://www.topdiode.com/pdf/2N2907-2N2907A.pdf.[21] Infineon, “IRF3710PbF” , Datasheet, Jul 2010, [En línea], Disponible: https://www.infineon.com/dgdl/irf3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df95df1947.[22] Infineon, “IRF5305PbF”, Datasheet, Ago 2003, [En línea], Disponible: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRF5305-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e370101993.[23] Infineon, “IRLZ44NPbF”, Datasheet, Nov 2003, [En línea], Disponible: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRFZ44N-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b3a9f220d.[24] STMicroelectronics, “N-channel 60 V, 1.8 Ω, 0.35 A, SOT23-3L, TO-92 STripFET™ Power MOSFET”, 2N7000, Rev 9, Nov 2008. [En línea], Disponible: https://www.st.com/resource/en/datasheet/cd00005134.pdf[25] Vishay, “Small Signal Zener Diodes”, BZX55C6V2, Datasheet, Rev 1.9, Jun 2024. [En línea], Disponible: https://www.vishay.com/docs/85604/bzx55.pdf[26] Taiwan Semiconductor, “1W, 10V - 200V Glass Passivated Junction Silicon Zener Diode”, 1N4740A, Ene 2023. [En línea], Disponible: https://services.taiwansemi.com/storage/resources/datasheet/1N4740A%20SERIES_O2104.pdfspaORIGINALTrabajo de grado.pdfTrabajo de grado.pdfapplication/pdf2643829https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/05ea48e5-f758-4d6c-b100-bc8ee5d01930/downloadf6d634475acc425a99fde56974e91401MD55LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-82000https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/44ab309b-450f-4f31-9fad-a32c28dc82bf/download17cc15b951e7cc6b3728a574117320f9MD57Anexo 1 Acta de grado.pdfapplication/pdf354452https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/e32618da-96fe-4db7-adf4-1b21fdb2939e/download6ed59d8c86886ba4cf05ccd30843bc19MD59Carta de autorizacion.pdfapplication/pdf237554https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/4d9bd33a-2f5f-47a1-8202-d2fddf09011c/download98b4c77f27f1bcde4394abf09735f423MD510CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-81160https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/0aa50cd3-a678-4242-94ef-fff2833683b3/download5643bfd9bcf29d560eeec56d584edaa9MD58TEXTTrabajo de grado.pdf.txtTrabajo de grado.pdf.txtExtracted texttext/plain102838https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/fd95facd-6db7-4745-af72-ea3628b5fc00/download6a79a143e242bdc0251f8124e70c500aMD511THUMBNAILTrabajo de grado.pdf.jpgTrabajo de grado.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg2844https://repositorio.unbosque.edu.co/bitstreams/e0745832-df34-45ad-abde-808a3fd63cd2/download768dcd7cf44d374b64f54f895ece7de7MD51220.500.12495/13545oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/135452024-12-04 03:02:32.067http://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/Atribución-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacionalopen.accesshttps://repositorio.unbosque.edu.coRepositorio Institucional Universidad El Bosquebibliotecas@biteca.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

Publicaciones similares