Diseño de sistema de medición de parámetros para semiconductores (Diodos, BJT y MOSFET)

Este proyecto tuvo como objetivo realizar el diseño de un sistema para la medicion de parámetros de semiconductores, específicamente para diodos, transistores BJT y Mosfet. Específicamente este sistema permite evaluar el voltaje de polarización directa en diodos, la ganancia de corriente en BJTs, el...

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Autores:

Torres Abella, Daniel Alejandro

Tipo de recurso:

https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f

Fecha de publicación:

2024

Institución:

Universidad El Bosque

Repositorio:

Repositorio U. El Bosque

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/13545

Acceso en línea:

https://hdl.handle.net/20.500.12495/13545

Palabra clave:

Medicion de parámetros de semiconductores
Diodos y transistores
Precisión de mediciones
Control de calidad de componentes
Estabilidad de circuitos
621.381
Semiconductor parameter measurement
Diodes and transistors
Measurement precision
Component quality control
Circuit stability

Rights

License

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