Sistema de análisis experimental y verificación de parámetros en semiconductores: enfoque en diodos, transistores BJT y transistores MOSFET

El documento presenta el diseño de un sistema de verificación orientado a evaluar distintos parámetros específicos de componentes electrónicos, entre ellos transistores BJT en configuraciones NPN y PNP, además de diversos tipos de diodos, como Zener, rectificadores, LEDs y Schottky, así como transistores MOSFET de canal P y canal N. El propósito del sistema fue proporcionar a los usuarios de estos componentes una herramienta capaz de obtener mediciones precisas de los parámetros esenciales de cada uno de ellos. El sistema se diseñó con el enfoque de colocar un dispositivo de prueba, medirlo y generar la gráfica precisa muy parecida a la que se genera cuando se observa las hojas de datos de cada uno de estos componentes. Esta característica busca proveer una representación visual al usuario, facilitando así la comparación entre sus mediciones reales y las especificaciones de fábrica. Con ello, el sistema pretendió proveer una forma sencilla y completa para que cualquier persona pueda entender que características tiene su componente específico.

• Autores: Jaime Villa, Nicolás; Mora Cely, Diego Armando
• Tipo de recurso: https://purl.org/coar/resource_type/c_7a1f
• Fecha de publicación: 2025
• Institución: Universidad El Bosque
• Repositorio: Repositorio U. El Bosque
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unbosque.edu.co:20.500.12495/14217
• Acceso en línea: https://hdl.handle.net/20.500.12495/14217
• Palabra clave: Medición; Análisis; Componentes electronicos; Parámetros; Semiconductores; 621.381; Measurement; Analysis; Electronic components; Parameters; Semiconductors
• License: Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International