Aln film deposition as a semiconductor device
AlN films were deposited by pulsed laser deposition (PLD) using an Nd: YAG laser (λ = 1064 nm). The films were deposited in a nitrogen atmosphere as working gas; the cathode was an aluminium high purity (99.99%) target. The films were deposited using 7 J/cm2 laser fluence for 10 minutes on silicon (...
- Autores:
-
Caicedo, Julio Cesar
Pérez Taborda, Jaime Andrés
Chaparro, Willian Aperador
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2013
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73160
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73160
http://bdigital.unal.edu.co/37635/
- Palabra clave:
- Pulsed laser deposition
aluminium nitride
acoustic wave speed
nitruro de aluminio
deposición de láser pulsado
reflectancia óptica
pureza del color
respuesta de frecuencia
velocidad de la onda acústica
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional