Comparación de la eficiencia de los semiconductores Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) para transistores de potencia MOSFET, a través del diseño e implementación de un conversor DC-AC
ilustraciones, fotografías
- Autores:
-
Torres García, Edgar Daniel
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2021
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
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- OAI Identifier:
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- Palabra clave:
- 530 - Física::537 - Electricidad y electrónica
Materiales semiconductores
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IRFP350 PRODUCT INFORMATION. Obtenido de https://www.vishay.com/product?docid=91225&tab=documents VISHAY INTERTECHNOLOGY. (26 de 07 de 2013). AC Film Capacitors in Connection with the Mains. Obtenido de https://www.vishay.com/docs/28153/anaccaps.pdf Wilmar Martinez, P. G. (2014). Efficiency Optimization of a Single Phase Boost Converter for electric Vehicle Applications. IEEE(978-1-4799-4032-5), 2.3. |
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Para comparar su eficiencia en la conversión de potencia se realizó el diseño e implementación de tres prototipos de convertidores DC-AC de puente completo, uno para cada tipo de semiconductor, logrando alcanzar en ellos eficiencias superiores al 90% y obteniendo del análisis realizado una comparación del desempeño energético de los tres convertidores DC-AC a diferentes frecuencias de conmutación. (Tomado de la fuente)To improve the energy efficiency of the power converters used in the generation, storage, and distribution of energy, the present research aims to analyze the advantages of implementing in power converters MOSFET with semiconductor materials with Wide Band Gap (WGB), as are the Gallium Nitrate (GaN) and Silicon Carbide (SiC), versus the traditional semiconductor of Silicon (Si), using converters DC-AC as the test platform. To compare its power conversion efficiency, the design and implementation of three fullbridge DC-AC converter prototypes were carried out, one for each type of semiconductor, achieving reach in them efficiencies greater than 90% and obtaining from the analysis carried out a comparison of the energy performance of the three DC-AC converters at different switching frequencies. (Tomado de la fuente)MaestríaMagíster en Ingeniería - Automatización IndustrialElectrónica de PotenciaMateriales semiconductores WBGEnergias Renovables201 páginasapplication/pdfspaUniversidad Nacional de ColombiaBogotá - Ingeniería - Maestría en Ingeniería - Automatización IndustrialDepartamento de Ingeniería Eléctrica y ElectrónicaFacultad de IngenieríaBogotá, ColombiaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá530 - Física::537 - Electricidad y electrónicaMateriales semiconductoresConvertidores DC-ACEficiencia en la conversión de Potenciasemiconductores de amplia banda prohibida WBGNitruro de Galio (GaN)Carburo de Silicio (SiC)DC-AC Convertersefficiency in power conversionwide band gap semiconductorsSilicon Carbide (SiC)Gallium Nitrate (GaN)SemiconductorSemiconductorsComparación de la eficiencia de los semiconductores Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) para transistores de potencia MOSFET, a través del diseño e implementación de un conversor DC-ACComparison of the efficiency of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) semiconductors for power transistors MOSFET, through the design and implementation of a DC-AC converterTrabajo de grado - Maestríainfo:eu-repo/semantics/masterThesisinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersionTexthttp://purl.org/redcol/resource_type/TMA. Cervera, M. E.-Y. (March 2015). A High-Efficiency Resonant Switched Capacitor Converter With Continuous Conversion Ratio. IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 30, no. 3(10.1109/TPEL.2014.2317758.), pp. 1373-1382.Amidon Inc. (s.f.). Ferritas material tipo 77. Obtenido de www.amidoncorp.com Baker, B. C. (2003). Noise source in applications using capacitive coupled isalated amplifiers. Burr-Brown / Application Bulletin, AB-047, 5,6.Baker, R. (2010). CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation, Third Edition,. Wiley-IEEE. Recuperado el 6 de 1 de 2021, de http://worldcat.org/isbn/978-0-470-88132-3Cooper, T. K. (2014). FUNDAMENTALS OF SILICON CARBIDE TECHNOLOGY. Singapure: John Wiley & Sons Singapore Pte. Ltd.E. Serban, C. P. (2019). Modulation Effects on Power-Loss and Leakage in three-phase Solar Inverter. IEEE TRANSACTIONS ON ENERGY CONVERSION, vol. 34, no. 1, pp. 339-350. doi:10.1109/TEC.2018.2879217Energy Start. (2020). Program Requirements for Computers, Rev. 6.4.2. 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IEEE(978-1-4799-4032-5), 2.3.LICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-83964https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/79657/1/license.txtcccfe52f796b7c63423298c2d3365fc6MD51ORIGINAL80758602.2021.pdf80758602.2021.pdfTesis de Maestría en Ingeniería - Automatización industrialapplication/pdf9497013https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/79657/2/80758602.2021.pdf540b21ad131bbbd8fedc8211641cca17MD52CC-LICENSElicense_rdflicense_rdfapplication/rdf+xml; charset=utf-8799https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/79657/3/license_rdff7d494f61e544413a13e6ba1da2089cdMD53THUMBNAIL80758602.2021.pdf.jpg80758602.2021.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg6063https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/79657/4/80758602.2021.pdf.jpgc4e31cd40cea4fb091e9faf8ea96b940MD54unal/79657oai:repositorio.unal.edu.co:unal/796572023-07-21 23:04:10.158Repositorio Institucional Universidad Nacional de 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