Comparación de la eficiencia de los semiconductores Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) para transistores de potencia MOSFET, a través del diseño e implementación de un conversor DC-AC

ilustraciones, fotografías

Autores:

Torres García, Edgar Daniel

Tipo de recurso:

Fecha de publicación:

2021

Institución:

Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:

Universidad Nacional de Colombia

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.unal.edu.co:unal/79657

Acceso en línea:

https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/79657
https://repositorio.unal.edu.co/

Palabra clave:

530 - Física::537 - Electricidad y electrónica
Materiales semiconductores
Convertidores DC-AC
Eficiencia en la conversión de Potencia
semiconductores de amplia banda prohibida WBG
Nitruro de Galio (GaN)
Carburo de Silicio (SiC)
DC-AC Converters
efficiency in power conversion
wide band gap semiconductors
Silicon Carbide (SiC)
Gallium Nitrate (GaN)
Semiconductor
Semiconductors

Rights

openAccess

License

Atribución-SinDerivadas 4.0 Internacional