Comparación de la eficiencia de los semiconductores Carburo de Silicio (SiC) y Nitruro de Galio (GaN) para transistores de potencia MOSFET, a través del diseño e implementación de un conversor DC-AC

ilustraciones, fotografías

• Autores: Torres García, Edgar Daniel
• Fecha de publicación: 2021
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/79657
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/79657; https://repositorio.unal.edu.co/
• Palabra clave: 530 - Física::537 - Electricidad y electrónica; Materiales semiconductores; Convertidores DC-AC; Eficiencia en la conversión de Potencia; semiconductores de amplia banda prohibida WBG; Nitruro de Galio (GaN); Carburo de Silicio (SiC); DC-AC Converters; efficiency in power conversion; wide band gap semiconductors; Silicon Carbide (SiC); Gallium Nitrate (GaN); Semiconductor; Semiconductors
• Rights: openAccess
• License: Atribución-SinDerivadas 4.0 Internacional