Preparación y caracterización del semiconductor ZnO con impurezas magnéticas

En este trabajo se fabricaron muestras policristalinas de Óxido de Zinc (ZnO) dopadas con Cobalto (Co), ZnO_(1-x)Co_(x) con 0.01= x = 0.3. Las muestras se prepararon usando el método de reacción de estado sólido a temperatura de 900°C durante 12 h y enfriamiento libre. El análisis estructural, se realizó mediante difracción de rayos X (XRD), para identificar las fases presentes, los parámetros de red asociados a la estructura cristalina de las muestras y el tamaño del cristal, así como las micro-tensiones presentes. La morfología, fue observada por microscopia electrónica de barrido (SEM), la cual mostró un aumento del tamaño de grano con la concentración de Co. Las propiedades eléctricas se determinaron a partir de mediciones del efecto Hall, presentando un comportamiento semiconductor tipo n para todas las muestras. Finalmente se realizaron medidas de magnetización, las cuales evidenciaron el comportamiento ferromagnético cerca a la temperatura ambiente de todas las muestras analizadas. Se observó que las diferencias en el comportamiento magnético de las muestras son debidas a los cambios en las propiedades eléctricas, especialmente relacionadas con la densidad de portadores de cargas.

• Autores: Bautista Sapuyes, Nelly Yanira
• Fecha de publicación: 2019
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/76534
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/76534; http://bdigital.unal.edu.co/73023/
• Palabra clave: Efecto Hall; Impurezas magnéticas; Semiconductor; Magnetización; Hall effect; Magnetic impurities; Semiconductor; Magnetization
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional