Preparación y caracterización del semiconductor ZnO con impurezas magnéticas
En este trabajo se fabricaron muestras policristalinas de Óxido de Zinc (ZnO) dopadas con Cobalto (Co), ZnO_(1-x)Co_(x) con 0.01= x = 0.3. Las muestras se prepararon usando el método de reacción de estado sólido a temperatura de 900°C durante 12 h y enfriamiento libre. El análisis estructural, se re...
- Autores:
-
Bautista Sapuyes, Nelly Yanira
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2019
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/76534
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/76534
http://bdigital.unal.edu.co/73023/
- Palabra clave:
- Efecto Hall
Impurezas magnéticas
Semiconductor
Magnetización
Hall effect
Magnetic impurities
Semiconductor
Magnetization
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional