Preparación y caracterización del semiconductor ZnO con impurezas magnéticas

En este trabajo se fabricaron muestras policristalinas de Óxido de Zinc (ZnO) dopadas con Cobalto (Co), ZnO_(1-x)Co_(x) con 0.01= x = 0.3. Las muestras se prepararon usando el método de reacción de estado sólido a temperatura de 900°C durante 12 h y enfriamiento libre. El análisis estructural, se re...

Full description

Autores:
Bautista Sapuyes, Nelly Yanira
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2019
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/76534
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/76534
http://bdigital.unal.edu.co/73023/
Palabra clave:
Efecto Hall
Impurezas magnéticas
Semiconductor
Magnetización
Hall effect
Magnetic impurities
Semiconductor
Magnetization
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional