Recubrimientos de bismuto depositados por la técnica sputtering D.C pulsado
En el trabajo de tesis de maestría se depositaron y caracterizaron películas de bismuto sobre sustratos 316L, Ti6Al4V, vidrio y silicio mediante la tecnica sputtering con magnetron desbalanceado UBM (unbalanced magnetron por sus siglas en ingles ) D.C pulsado. Posteriormente los recubrimientos depos...
- Autores:
-
Ortiz Bastos, María Fernanda
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2012
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/11553
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/11553
http://bdigital.unal.edu.co/8988/
- Palabra clave:
- 62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
Bismuto
Sputtering D.C pulsado
pruebas electroquímicas
Resistencia a la corrosión
Coeficiente de absorción / Bismuth
Pulsed D.C sputtering
Electrochemical tests
Corrosion resistance
Absorption coefficient
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Summary: | En el trabajo de tesis de maestría se depositaron y caracterizaron películas de bismuto sobre sustratos 316L, Ti6Al4V, vidrio y silicio mediante la tecnica sputtering con magnetron desbalanceado UBM (unbalanced magnetron por sus siglas en ingles ) D.C pulsado. Posteriormente los recubrimientos depositados se caracterizaron microestructuralmente haciendo uso de difraccion de rayos X (XRD - X ray diffraction), microscopia electronica de barrido (SEM - scanning electron microscopy) y microscopia de fuerza atomica (AFM – atomic force microscopy). La energia de ligadura se estableció con XPS (X-ray photoelectron Spectroscopy – espectroscopia de fotoelectrones por rayos X). Se evaluaron las propiedades opticas a partir de la absorbancia y transmitancia del material, y su resistencia a la corrosion por medio de pruebas electroquimicas a traves de ensayos de polarizacion potenciodinamica y espectroscopia de impedancia electroquimica. Para determinar los mecanismos de corrosion, se realizo un estudio microestructural a los productos de corrosion mediante SEM. Las peliculas fueron depositas con el objetivo de estudiar el efecto de la frecuencia en las propiedades opticas, resistencia a la corrosion y morfologia. El parametro que se vario en el crecimiento de las peliculas fue la frecuencia 0, 40 y 80 kHz, en donde, para 0 kHz no se utilizo la fuente pulsada. Se mantuvo constante la potencia en 68 W, la distancia entre el blanco y el sustrato fue de 50 mm y el flujo de argon fue de 9 sccm. Los resultados que se obtuvieron indican que para las peliculas de bismuto depositadas a 40 kHz se obtuvo una mayor resistencia a la corrosion, una ventana de corrosion mas amplia y fue la pelicula que tuvo una mayor absorbancia comparada con las peliculas crecidas a 0 y 80 kHz. Ademas fue posible relacionar la morfologia de las peliculas, cuando se presento una mayor rugosidad y una menor cantidad de particulas de bismuto se obtuvo una menor resistencia a la corrosion y una menor absorbancia. / Abstract: In the Master Tesis work were deposited and characterized bismuth films over 316L, Ti6AI4V, glass and silicon through UBM (Unbalanced Magnetron Sputtering) D.C pulsed technique. Then, the deposited coatings were micro structurally characterized using the X-Ray diffraction (XRD), the Scanning Electron Microscopy (SEM) and the Atomic Force Microscopy (AFM). The Knot Energy was established by X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). Optical properties were evaluated from the absorbance and transmittance of the material, and its resistance to corrosion from electrochemical tests trough potentiodinamic polarization and spectroscopy of electrochemical impedance. To determinate the corrosion mechanisms, was made a micro structural study of the corrosion products tough SEM. Films were deposited to study the frequency effects on the optical properties and de corrosion resistance and also on the morphology. The varied parameter in the films growth was de frequency: 0, 40 and 80 KHz where, for 0 KHz the pulsed power source was no used. The power was kept constant in 68 W, the distance between the target and the substratum was of 50mm and the argon flow was 9 sccm. |
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