Preparación y evaluación de nanoestructuras de TiO2 para aplicaciones tecnológicas en Memorias No Volátiles (NVM)

En el presente trabajo se depositaron películas delgadas de TiO2 y TiO2:Co por el método de “DC Magnetron Sputtering” usando como sustratos láminas de Ti, ITO/Vidrio e ITO/PET. Dentro de los parámetros de síntesis, se variaron la temperatura usada en el depósito junto con la temperatura de recocido posterior al proceso de fabricación. Se realizó la caracterización estructural por medio de difracción de rayos X (XRD, por sus siglas en inglés) y morfológica mediante microscopia electrónica de barrido (SEM, por sus siglas en inglés), para determinar el efecto asociado a los parámetros de síntesis (temperatura y tipo de sustrato). A partir de la caracterización estructural fue posible identificar las fases anatasa y rutilo para los depósitos de TiO2. Por otra parte, los depósitos de TiO2:Co en los diferentes sustratos presentaron una contribución mayoritariamente amorfa. Respecto a la caracterización morfológica se encontró que la mayor variación en la superficie se debió al sustrato sobre al cual se hizo el depósito. De igual manera, a través de micrografías de SEM y medidas EDX (Dispersión de Energía de Rayos-X) fue posible determinar el espesor de los diferentes depósitos y la composición local de las muestras, respectivamente. Además, se realizó la caracterización óptica para determinar el “gap” óptico del material, encontrando valores variando entre 2,8 y 3,8 eV característicos a los reportados para las fases de anatasa y rutilo del TiO2. Por último, las muestras se caracterizaron eléctricamente por medio de barridos de voltaje polarizado para determinar el comportamiento de conmutación resistiva y la resistencia al desgaste tras ciclos de programación; los resultados obtenidos fueron favorables y coherentes con lo reportado para aplicaciones en dispositivos RRAM (Resistive Random Access Memory).

• Autores: Avila Torres, Sandra Bibiana
• Fecha de publicación: 2019
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/76834
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/76834; http://bdigital.unal.edu.co/73705/
• Palabra clave: Memorias no volátiles,; DC Magnetron Sputtering, DC Magnetron Sputtering; Conmutación resistiva, Resistive switching; Alta resistencia, High resistance; Baja resistencia, Low resistance; Non-volatile memories
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional