CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO

Este trabajo describe un procedimiento para crecer in situ películas delgadas de n+-ZnO e i-ZnO altamente transparentes, depositadas secuencialmente por evaporación reactiva asistido por plasma sin usar dopaje extrínseco. Se logró una buena reproducibilidad del espesor y de las propiedades opto-eléc...

Full description

Autores:
Ramírez, Asdrúbal A.
Oyola, Johana S.
Calderón, Clara L.
Gordillo, Gerardo
Tipo de recurso:
Article of journal
Fecha de publicación:
2016
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67357
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67357
http://bdigital.unal.edu.co/68386/
Palabra clave:
53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
ZnO thin films
reactive evaporation
opto-electrical properties
virtual instrumentation
intrinsic doping.
Películas delgadas de ZnO
evaporación reactiva
propiedades opto-eléctricas
instrumentación virtual
dopaje intrínseco.
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
id UNACIONAL2_a133a1c744ef85069b5e0497b134a816
oai_identifier_str oai:repositorio.unal.edu.co:unal/67357
network_acronym_str UNACIONAL2
network_name_str Universidad Nacional de Colombia
repository_id_str
dc.title.spa.fl_str_mv CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
title CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
spellingShingle CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
ZnO thin films
reactive evaporation
opto-electrical properties
virtual instrumentation
intrinsic doping.
Películas delgadas de ZnO
evaporación reactiva
propiedades opto-eléctricas
instrumentación virtual
dopaje intrínseco.
title_short CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
title_full CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
title_fullStr CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
title_full_unstemmed CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
title_sort CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO
dc.creator.fl_str_mv Ramírez, Asdrúbal A.
Oyola, Johana S.
Calderón, Clara L.
Gordillo, Gerardo
dc.contributor.author.spa.fl_str_mv Ramírez, Asdrúbal A.
Oyola, Johana S.
Calderón, Clara L.
Gordillo, Gerardo
dc.subject.ddc.spa.fl_str_mv 53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
topic 53 Física / Physics
5 Ciencias naturales y matemáticas / Science
ZnO thin films
reactive evaporation
opto-electrical properties
virtual instrumentation
intrinsic doping.
Películas delgadas de ZnO
evaporación reactiva
propiedades opto-eléctricas
instrumentación virtual
dopaje intrínseco.
dc.subject.proposal.spa.fl_str_mv ZnO thin films
reactive evaporation
opto-electrical properties
virtual instrumentation
intrinsic doping.
Películas delgadas de ZnO
evaporación reactiva
propiedades opto-eléctricas
instrumentación virtual
dopaje intrínseco.
description Este trabajo describe un procedimiento para crecer in situ películas delgadas de n+-ZnO e i-ZnO altamente transparentes, depositadas secuencialmente por evaporación reactiva asistido por plasma sin usar dopaje extrínseco. Se logró una buena reproducibilidad del espesor y de las propiedades opto-eléctricas de las películas a través de un control electrónico novedoso desarrollado usando el concepto de instrumentación virtual. Para lo cual se implementó un instrumento virtual (VI) que controlaba el proceso usando PID (proportional integral differential) y PWM (pulse width modulation) como algoritmos de control. Optimizando el diseño del reactor y los parámetros de deposición se obtuvieron con este método películas n+-ZnO e i-ZnO con resistividades alrededor de 6 x 10-4 cm y 104 cm respectivamente y transmitancias mayores al 85% (en la región visible). A partir de medidas de energía Urbach encontramos que las películas n+-ZnO depositadas controlando apropiadamente la cantidad de zinc que llega al reactor tienen una cantidad baja de defectos estructurales. También se reportan resultados relacionados con propiedades de transporte eléctrico de las películas de ZnO, obtenidas de medidas de conductividad y movilidad dependientes de la temperatura.
publishDate 2016
dc.date.issued.spa.fl_str_mv 2016-01-01
dc.date.accessioned.spa.fl_str_mv 2019-07-03T04:05:15Z
dc.date.available.spa.fl_str_mv 2019-07-03T04:05:15Z
dc.type.spa.fl_str_mv Artículo de revista
dc.type.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1
dc.type.driver.spa.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
dc.type.version.spa.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.coar.spa.fl_str_mv http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
dc.type.coarversion.spa.fl_str_mv http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
dc.type.content.spa.fl_str_mv Text
dc.type.redcol.spa.fl_str_mv http://purl.org/redcol/resource_type/ART
format http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
status_str publishedVersion
dc.identifier.issn.spa.fl_str_mv ISSN: 2500-8013
dc.identifier.uri.none.fl_str_mv https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67357
dc.identifier.eprints.spa.fl_str_mv http://bdigital.unal.edu.co/68386/
identifier_str_mv ISSN: 2500-8013
url https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67357
http://bdigital.unal.edu.co/68386/
dc.language.iso.spa.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.spa.fl_str_mv https://revistas.unal.edu.co/index.php/momento/article/view/58890
dc.relation.ispartof.spa.fl_str_mv Universidad Nacional de Colombia Revistas electrónicas UN MOMENTO - Revista de Física
MOMENTO - Revista de Física
dc.relation.references.spa.fl_str_mv Ramírez, Asdrúbal A. and Oyola, Johana S. and Calderón, Clara L. and Gordillo, Gerardo (2016) CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO. MOMENTO (52). pp. 25-42. ISSN 2500-8013
dc.rights.spa.fl_str_mv Derechos reservados - Universidad Nacional de Colombia
dc.rights.coar.fl_str_mv http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
dc.rights.license.spa.fl_str_mv Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
dc.rights.uri.spa.fl_str_mv http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
dc.rights.accessrights.spa.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
Derechos reservados - Universidad Nacional de Colombia
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.mimetype.spa.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.spa.fl_str_mv Universidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá - Facultad de Ciencias - Departamento de Física
institution Universidad Nacional de Colombia
bitstream.url.fl_str_mv https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/67357/1/58890-298203-3-PB.pdf
https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/67357/2/58890-298203-3-PB.pdf.jpg
bitstream.checksum.fl_str_mv ee9fd73420a1075dc463b1c09a68b60b
1791b37b5bb20460b82eeaae250b506a
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv MD5
MD5
repository.name.fl_str_mv Repositorio Institucional Universidad Nacional de Colombia
repository.mail.fl_str_mv repositorio_nal@unal.edu.co
_version_ 1814090011564310528
spelling Atribución-NoComercial 4.0 InternacionalDerechos reservados - Universidad Nacional de Colombiahttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Ramírez, Asdrúbal A.550cf5a6-7d7a-4d9a-bcbd-8f39f65535c5300Oyola, Johana S.19ddeb44-04c8-4e07-85ef-3b032258007d300Calderón, Clara L.76b60c1a-edcf-4bf6-929b-41d7a1cf12aa300Gordillo, Gerardoc1e77785-b29d-4c4f-86fa-63492a8ad5093002019-07-03T04:05:15Z2019-07-03T04:05:15Z2016-01-01ISSN: 2500-8013https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/67357http://bdigital.unal.edu.co/68386/Este trabajo describe un procedimiento para crecer in situ películas delgadas de n+-ZnO e i-ZnO altamente transparentes, depositadas secuencialmente por evaporación reactiva asistido por plasma sin usar dopaje extrínseco. Se logró una buena reproducibilidad del espesor y de las propiedades opto-eléctricas de las películas a través de un control electrónico novedoso desarrollado usando el concepto de instrumentación virtual. Para lo cual se implementó un instrumento virtual (VI) que controlaba el proceso usando PID (proportional integral differential) y PWM (pulse width modulation) como algoritmos de control. Optimizando el diseño del reactor y los parámetros de deposición se obtuvieron con este método películas n+-ZnO e i-ZnO con resistividades alrededor de 6 x 10-4 cm y 104 cm respectivamente y transmitancias mayores al 85% (en la región visible). A partir de medidas de energía Urbach encontramos que las películas n+-ZnO depositadas controlando apropiadamente la cantidad de zinc que llega al reactor tienen una cantidad baja de defectos estructurales. También se reportan resultados relacionados con propiedades de transporte eléctrico de las películas de ZnO, obtenidas de medidas de conductividad y movilidad dependientes de la temperatura.This work describes a procedure to grow in situ highly transparent n+-ZnO and i-ZnO thin films sequentially deposited by plasma assisted reactive evaporation without using extrinsic doping. Good reproducibility of the thickness and opto-electrical properties of the films was achieved through a novel electronic control developed using the virtual instrumentation concept. For that, a virtual instrument (VI) was implemented to control the process using PID (proportional integral differential) and PWM (pulse width modulation) as control algorithms.By optimizing the design of the reactor and deposition parameters, n+-ZnO and i-ZnO films with resistivities around 6 x10-4 cm and 104 cm respectively and transmittances greater than 85% (in the visible region) were obtained with this method. From Urbach energy measures we have found that n+-ZnO films deposited controlling the quantity of zinc that arrives to the reactor appropriately, have a low density of structural defects. Results regarding electrical transport properties of the ZnO films, obtained from temperature dependent measurements of both conductivity and mobility, are also reported.application/pdfspaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Bogotá - Facultad de Ciencias - Departamento de Físicahttps://revistas.unal.edu.co/index.php/momento/article/view/58890Universidad Nacional de Colombia Revistas electrónicas UN MOMENTO - Revista de FísicaMOMENTO - Revista de FísicaRamírez, Asdrúbal A. and Oyola, Johana S. and Calderón, Clara L. and Gordillo, Gerardo (2016) CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECO. MOMENTO (52). pp. 25-42. ISSN 2500-801353 Física / Physics5 Ciencias naturales y matemáticas / ScienceZnO thin filmsreactive evaporationopto-electrical propertiesvirtual instrumentationintrinsic doping.Películas delgadas de ZnOevaporación reactivapropiedades opto-eléctricasinstrumentación virtualdopaje intrínseco.CARACTERIZACIÓN OPTO-ELÉCTRICA DE BICAPAS n+-ZnO/i-ZnO CRECIDAS IN SITU POR EVAPORACIÓN REACTIVA SIN USAR DOPAJE EXTRÍNSECOArtículo de revistainfo:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Texthttp://purl.org/redcol/resource_type/ARTORIGINAL58890-298203-3-PB.pdfapplication/pdf1078990https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/67357/1/58890-298203-3-PB.pdfee9fd73420a1075dc463b1c09a68b60bMD51THUMBNAIL58890-298203-3-PB.pdf.jpg58890-298203-3-PB.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg7017https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/67357/2/58890-298203-3-PB.pdf.jpg1791b37b5bb20460b82eeaae250b506aMD52unal/67357oai:repositorio.unal.edu.co:unal/673572024-05-21 23:09:06.154Repositorio Institucional Universidad Nacional de Colombiarepositorio_nal@unal.edu.co