Efectos estructurales en el semiconductor insb, por la aplicación de diferentes métodos de presión

En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el antimoneto de indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hec...

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Autores:
Rincón Joya, Miryam
Barba Ortega, José José
Pizani, Paulo S.
Tipo de recurso:
Article of journal
Fecha de publicación:
2012
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
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Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/38064
http://bdigital.unal.edu.co/28150/
Palabra clave:
Raman
presión
indentación
Insb
transformación estructural de fase.
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