Efectos estructurales en el semiconductor insb, por la aplicación de diferentes métodos de presión

En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el antimoneto de indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hec...