Caracterización de peliculas de fosfuro de galio nitrogenado

Las películas de GaP1-xNx fueron depositaron por magnetrón sputtering sobre substratos silicio (100) variando la temperaturas del substrato desde 420 oC hasta 520 oC. Difracción de rayos-X muestran que las películas son policristalinas con orientación preferencial en la dirección (111). Micrografías...

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Autores:
Pulzara Mora, Alvaro
Melendez Lira, Miguel
López López, Máximo
Tipo de recurso:
Article of journal
Fecha de publicación:
2012
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73580
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73580
http://bdigital.unal.edu.co/38056/
Palabra clave:
Pulverización catódica
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Raman
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Magnetron Sputtering
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