Caracterización de peliculas de fosfuro de galio nitrogenado

Las películas de GaP1-xNx fueron depositaron por magnetrón sputtering sobre substratos silicio (100) variando la temperaturas del substrato desde 420 oC hasta 520 oC. Difracción de rayos-X muestran que las películas son policristalinas con orientación preferencial en la dirección (111). Micrografías...

Full description

Autores:

Pulzara Mora, Alvaro
Melendez Lira, Miguel
López López, Máximo

Tipo de recurso:

Article of journal

Fecha de publicación:

2012

Institución:

Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:

Universidad Nacional de Colombia

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73580

Acceso en línea:

https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73580
http://bdigital.unal.edu.co/38056/

Palabra clave:

Pulverización catódica
GaPN
Raman
SEM.
Magnetron Sputtering
GaPN
Raman
SEM.

Rights

openAccess

License

Atribución-NoComercial 4.0 Internacional