Caracterización de peliculas de fosfuro de galio nitrogenado

Las películas de GaP1-xNx fueron depositaron por magnetrón sputtering sobre substratos silicio (100) variando la temperaturas del substrato desde 420 oC hasta 520 oC. Difracción de rayos-X muestran que las películas son policristalinas con orientación preferencial en la dirección (111). Micrografías de alta resolución tomadas en sección transversal con un microscopio electrónico de barrido, muestran un crecimiento columnar. Espectros Raman evidencian  la existencia de modos vibracionales TO y LO localizados en 370 y 408 cm-1 asociados a GaP, y un modo fonónico local alrededor de 390 cms-1 relacionado con el desorden estructural inducido por nitrógeno, debido probablemente a la incorporación de átomos y/o clusters de N en la matriz de GaP.

• Autores: Pulzara Mora, Alvaro; Melendez Lira, Miguel; López López, Máximo
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2012
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73580
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73580; http://bdigital.unal.edu.co/38056/
• Palabra clave: Pulverización catódica; GaPN; Raman; SEM.; Magnetron Sputtering; GaPN; Raman; SEM.
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional