Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores.
En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara...
- Autores:
-
Dussan, A.
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2006
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73685
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73685
http://bdigital.unal.edu.co/38161/
- Palabra clave:
- Semiconductores
películas delgadas
DOS.
Semiconductors
Thin Films
DOS.
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
| id |
UNACIONAL2_5f1e8a9c8f424cc2d3b6b473c6ced949 |
|---|---|
| oai_identifier_str |
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73685 |
| network_acronym_str |
UNACIONAL2 |
| network_name_str |
Universidad Nacional de Colombia |
| repository_id_str |
|
| spelling |
Atribución-NoComercial 4.0 InternacionalDerechos reservados - Universidad Nacional de Colombiahttp://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/info:eu-repo/semantics/openAccesshttp://purl.org/coar/access_right/c_abf2Dussan, A.653a18db-86f5-4654-b605-2fe64916617a3002019-07-03T16:41:49Z2019-07-03T16:41:49Z2006https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73685http://bdigital.unal.edu.co/38161/En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón).In this work, a detailed study of thermally stimulated con- ductivity technique (TSC) is presented. Density of states (DOS) was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H (B)] and compared with results obtained by the modula- ted photoconductivity methods. To explain the poor agree- ment between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simula- tions that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μnτn product (mobility of electron × lifetime of the electron).application/pdfspaUniversidad Nacional de Colombia, Bogotáhttp://revistas.unal.edu.co/index.php/momento/article/view/40599Universidad Nacional de Colombia Revistas electrónicas UN MOMENTO - Revista de FísicaMOMENTO - Revista de FísicaMOMENTO - Revista de Física; núm. 32 (2006); 15-27 0121-4470Dussan, A. (2006) Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. MOMENTO - Revista de Física; núm. 32 (2006); 15-27 0121-4470 .Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores.Artículo de revistainfo:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionhttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Texthttp://purl.org/redcol/resource_type/ARTSemiconductorespelículas delgadasDOS.SemiconductorsThin FilmsDOS.ORIGINAL40599-206035-1-PB.pdfapplication/pdf289362https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/73685/1/40599-206035-1-PB.pdf8985f0c1d361ff9f4f3dd6aa5199fd60MD51THUMBNAIL40599-206035-1-PB.pdf.jpg40599-206035-1-PB.pdf.jpgGenerated Thumbnailimage/jpeg5099https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/73685/2/40599-206035-1-PB.pdf.jpgf0fbdde30bad415e603bbfbc4ebdabb6MD52unal/73685oai:repositorio.unal.edu.co:unal/736852024-06-25 23:11:59.305Repositorio Institucional Universidad Nacional de Colombiarepositorio_nal@unal.edu.co |
| dc.title.spa.fl_str_mv |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| title |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| spellingShingle |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. Semiconductores películas delgadas DOS. Semiconductors Thin Films DOS. |
| title_short |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| title_full |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| title_fullStr |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| title_full_unstemmed |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| title_sort |
Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. |
| dc.creator.fl_str_mv |
Dussan, A. |
| dc.contributor.author.spa.fl_str_mv |
Dussan, A. |
| dc.subject.proposal.spa.fl_str_mv |
Semiconductores películas delgadas DOS. Semiconductors Thin Films DOS. |
| topic |
Semiconductores películas delgadas DOS. Semiconductors Thin Films DOS. |
| description |
En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón). |
| publishDate |
2006 |
| dc.date.issued.spa.fl_str_mv |
2006 |
| dc.date.accessioned.spa.fl_str_mv |
2019-07-03T16:41:49Z |
| dc.date.available.spa.fl_str_mv |
2019-07-03T16:41:49Z |
| dc.type.spa.fl_str_mv |
Artículo de revista |
| dc.type.coar.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1 |
| dc.type.driver.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/article |
| dc.type.version.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
| dc.type.coar.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
| dc.type.coarversion.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| dc.type.content.spa.fl_str_mv |
Text |
| dc.type.redcol.spa.fl_str_mv |
http://purl.org/redcol/resource_type/ART |
| format |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
| status_str |
publishedVersion |
| dc.identifier.uri.none.fl_str_mv |
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73685 |
| dc.identifier.eprints.spa.fl_str_mv |
http://bdigital.unal.edu.co/38161/ |
| url |
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73685 http://bdigital.unal.edu.co/38161/ |
| dc.language.iso.spa.fl_str_mv |
spa |
| language |
spa |
| dc.relation.spa.fl_str_mv |
http://revistas.unal.edu.co/index.php/momento/article/view/40599 |
| dc.relation.ispartof.spa.fl_str_mv |
Universidad Nacional de Colombia Revistas electrónicas UN MOMENTO - Revista de Física MOMENTO - Revista de Física |
| dc.relation.ispartofseries.none.fl_str_mv |
MOMENTO - Revista de Física; núm. 32 (2006); 15-27 0121-4470 |
| dc.relation.references.spa.fl_str_mv |
Dussan, A. (2006) Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. MOMENTO - Revista de Física; núm. 32 (2006); 15-27 0121-4470 . |
| dc.rights.spa.fl_str_mv |
Derechos reservados - Universidad Nacional de Colombia |
| dc.rights.coar.fl_str_mv |
http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| dc.rights.license.spa.fl_str_mv |
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional |
| dc.rights.uri.spa.fl_str_mv |
http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ |
| dc.rights.accessrights.spa.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
| rights_invalid_str_mv |
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional Derechos reservados - Universidad Nacional de Colombia http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 |
| eu_rights_str_mv |
openAccess |
| dc.format.mimetype.spa.fl_str_mv |
application/pdf |
| dc.publisher.spa.fl_str_mv |
Universidad Nacional de Colombia, Bogotá |
| institution |
Universidad Nacional de Colombia |
| bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/73685/1/40599-206035-1-PB.pdf https://repositorio.unal.edu.co/bitstream/unal/73685/2/40599-206035-1-PB.pdf.jpg |
| bitstream.checksum.fl_str_mv |
8985f0c1d361ff9f4f3dd6aa5199fd60 f0fbdde30bad415e603bbfbc4ebdabb6 |
| bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 |
| repository.name.fl_str_mv |
Repositorio Institucional Universidad Nacional de Colombia |
| repository.mail.fl_str_mv |
repositorio_nal@unal.edu.co |
| _version_ |
1814089288141242368 |