Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores.

En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón).

• Autores: Dussan, A.
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2006
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/73685
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73685; http://bdigital.unal.edu.co/38161/
• Palabra clave: Semiconductores; películas delgadas; DOS.; Semiconductors; Thin Films; DOS.
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional