Desarrollo de materiales semiconductores funcionales basados en óxidos de manganeso

En el presente trabajo se sintetizaron materiales laminares de óxido de manganeso tipo birnesita y buserita (materiales tipo Octahedral Layer, OL -1) por un proceso de oxidoreducción, los cuales luego fueron modificados sistemáticamente mediante intercambios iónicos con Ni2+, Co2+ y Mg2+. Posteriorm...

Full description

Autores:

Dávila Arias, María Teresa

Tipo de recurso:

Doctoral thesis

Fecha de publicación:

2012

Institución:

Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:

Universidad Nacional de Colombia

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.unal.edu.co:unal/57232

Acceso en línea:

https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/57232
http://bdigital.unal.edu.co/53417/

Palabra clave:

54 Química y ciencias afines / Chemistry
62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
66 Ingeniería química y Tecnologías relacionadas/ Chemical engineering
Semiconductores
Materiales nanoestructurados
Óxidos de manganeso
Birnesita
Materiales laminares
Todorokita
Método de oxido-reducción
Método de doble envejecimiento
Comportamiento eléctrico
Semiconductors
Nanostructured materials
Manganese oxides
Birnessite
Layered materials
Todorokite
Oxidation-reduction method
Double aging method
Electrical behavior

Rights

openAccess

License

Atribución-NoComercial 4.0 Internacional