Gaas/algaas nanoheterostructures: simulation and application on high mobility transistors
This work analyses the features of GaAs/AlGaAs heterostructure, highlighting semiconductor junction properties. Charge confinement was produced when two materials having different band-gap were fixed; such high electron concentration is called two-dimensional electron gas (2DEG). Device simulation f...
- Autores:
-
Rodríguez, Eduardo Martín
González R., Estrella
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2011
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/33480
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/33480
http://bdigital.unal.edu.co/23560/
http://bdigital.unal.edu.co/23560/2/
http://bdigital.unal.edu.co/23560/3/
- Palabra clave:
- HEMT
heteroestructuras
DESSIS
simulación.
HEMT
heterostructure
DESSIS
simulation.
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional