Adsorción, crecimiento e incorporación de átomos de carbono en GaN: un estudio basado en DFT

En el presente trabajo de tesis doctoral se realizó un estudio detallado del sistema carbono GaN. Primero, se estudiaron las propiedades estructurales y electrónicas los compuestos CxGa1-xN y CxGaN1-x (x = 0.25, 0.50 y 0.75). En todas las concentraciones se encuentra que es energéticamente más favor...

Full description

Autores:

Espitia Rico, Miguel José

Tipo de recurso:

Doctoral thesis

Fecha de publicación:

2016

Institución:

Universidad Nacional de Colombia

Repositorio:

Universidad Nacional de Colombia

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.unal.edu.co:unal/58816

Acceso en línea:

https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/58816
http://bdigital.unal.edu.co/55780/

Palabra clave:

53 Física / Physics
54 Química y ciencias afines / Chemistry
62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
DFT
Propiedades estructurales
Propiedades electrónicas
Superficie GaN(0001)
Adsorción
Difusión
Grafeno
Conos de Dirac
Structural properties
Electronic properties
GaN(0001) Surface
Adsorption
Diffusion
Graphene
Dirac cones

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openAccess

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