Caracterización óptica por fotorreflectancia a temperatura variable de heteroestructuras semiconductoras ZnSe/GaAs y CdTe/GaAs
En este trabajo se reporta el estudio de esfuerzos presentes en heteroestructura II-VI/GaAs como son el ZnSe/GaAs y el CdTe/GaAs, realizados mediante la técnica de Fotorreflectancia (FR) en un rango de temperaturas 12≤T≤300 K. Las heteroestructuras fueron crecidas por MBE (Molecular Beam Epitaxy). L...
- Autores:
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Jiménez García, Francy Nelly
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2005
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/7364
- Palabra clave:
- 53 Física / Physics
62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
Fotorreflectancia, Heteroestructuras, Semiconductores, Espectroscopía de Modulación, Películas semiconductoras
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional
| Summary: | En este trabajo se reporta el estudio de esfuerzos presentes en heteroestructura II-VI/GaAs como son el ZnSe/GaAs y el CdTe/GaAs, realizados mediante la técnica de Fotorreflectancia (FR) en un rango de temperaturas 12≤T≤300 K. Las heteroestructuras fueron crecidas por MBE (Molecular Beam Epitaxy). Los espectros obtenidos de FR para el CdTe/GaAs presentan tres contribuciones, una debida al GaAs y las otras dos se deben al desdoblamiento de la banda de valencia en huecos pesados y huecos livianos a consecuencia de los esfuerzos presentes en la película. Todos Los espectros se ajustaron mediante la forma de línea de tercera derivada (TDFL) para un punto crítico 3D M0, permitiendo encontrar la energía de la transición fundamental tanto del sustrato (GaAs) como de las películas de CdTe y ZnSe. Se estudió la variación de la energía de la transición fundamental en función de la temperatura empleando los modelos de Varshni, Viña y O. Donnnell, encontrándose un mejor ajuste con la de Viña debido a la contribución de los esfuerzos. Se hizo un estudio de los esfuerzos presentes en las películas debido al desacople de red y a la diferencia en los coeficientes de expansión térmica. Para el CdTe/GaAs se encontró un esfuerzo total compresivo apreciable en todo el rango de temperaturas, mientras para el ZnSe/GaAs el esfuerzo total es muy pequeño y no es apreciable en los espectros de FR. Se analizó el comportamiento de las películas de ZnSe/GaAs frente a un sustrato con y sin tratamiento químico encontrándose mejores características de las películas crecidas sobre sustratos sin tratamiento químico previo, debido a que en estas películas, la superficie del sustrato es modificada causando mas desorden y el esfuerzo residual entre el ZnSe y GaAs es menor. Se observa que en las películas de ZnSe sobre GaAs el esfuerzo no es homogéneo en el eje axial de crecimiento (Texto tomado de la fuente) |
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