Caracterización óptica por fotorreflectancia a temperatura variable de heteroestructuras semiconductoras ZnSe/GaAs y CdTe/GaAs
En este trabajo se reporta el estudio de esfuerzos presentes en heteroestructura II-VI/GaAs como son el ZnSe/GaAs y el CdTe/GaAs, realizados mediante la técnica de Fotorreflectancia (FR) en un rango de temperaturas 12≤T≤300 K. Las heteroestructuras fueron crecidas por MBE (Molecular Beam Epitaxy). L...
- Autores:
-
Jiménez García, Francy Nelly
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2005
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/7364
- Palabra clave:
- 53 Física / Physics
62 Ingeniería y operaciones afines / Engineering
Fotorreflectancia, Heteroestructuras, Semiconductores, Espectroscopía de Modulación, Películas semiconductoras
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional