Estudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEM

En las últimas décadas el estudio de los materiales de bajas dimensiones muestra una amplia gama de aplicaciones en distintos campos. En la actualidad, la investigación de las nuevas propiedades de los materiales semiconductores mediante la creación de capas porosas en dichos semiconductores brinda la posibilidad de nuevas aplicaciones en la electrónica y la opto-electrónica como en otros campos de la tecnología como lo son sensores, celdas de combustible, baterías de larga duración, aplicaciones médicas, etc. En este trabajo se fabricaron películas delgadas porosas de GaSb por el método de anodizado electroquímico utilizando ácido clorhídrico (HCl). Se realizó ataque electroquímico a películas con diferentes parámetros de síntesis (tiempos de depósitos y temperatura de recocido) fabricadas sobre sustratos de vidrio. Se variaron tiempos de ataque electroquímico y voltajes aplicados para correlacionar los resultados. Posterior a ello se realizaron estudios morfológicos utilizando las técnicas de microcopía de barrido electrónico (SEM, por sus siglas en ingles) y microscopía de fuerza atómica (AFM). Por último, se analiza la correlación entre los parámetros de síntesis y la morfología de la superficie del material.

• Autores: Rodriguez Ballesteros, Ismael Fernando
• Fecha de publicación: 2018
• Institución: Universidad Nacional de Colombia
• Repositorio: Universidad Nacional de Colombia
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.unal.edu.co:unal/63872
• Acceso en línea: https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/63872; http://bdigital.unal.edu.co/64478/
• Palabra clave: 53 Física / Physics; Semiconductores; Opto-electrónica; Antimoniuro de galio (GaSb); Ataque electroquímico; Microcopia de fuerza atómica; Semiconductors; Optoelectronics; Gallium antimonide (GaSb); Electrochemical attack; Atomic force microscopy
• Rights: openAccess
• License: Atribución-NoComercial 4.0 Internacional