Estudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEM
En las últimas décadas el estudio de los materiales de bajas dimensiones muestra una amplia gama de aplicaciones en distintos campos. En la actualidad, la investigación de las nuevas propiedades de los materiales semiconductores mediante la creación de capas porosas en dichos semiconductores brinda...
- Autores:
-
Rodriguez Ballesteros, Ismael Fernando
- Tipo de recurso:
- Fecha de publicación:
- 2018
- Institución:
- Universidad Nacional de Colombia
- Repositorio:
- Universidad Nacional de Colombia
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.unal.edu.co:unal/63872
- Acceso en línea:
- https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/63872
http://bdigital.unal.edu.co/64478/
- Palabra clave:
- 53 Física / Physics
Semiconductores
Opto-electrónica
Antimoniuro de galio (GaSb)
Ataque electroquímico
Microcopia de fuerza atómica
Semiconductors
Optoelectronics
Gallium antimonide (GaSb)
Electrochemical attack
Atomic force microscopy
- Rights
- openAccess
- License
- Atribución-NoComercial 4.0 Internacional