Estudio de la morfología de nanoestructuras de GaSb por efecto de la disolución de HCl mediante medidas de microscopia SEM

En las últimas décadas el estudio de los materiales de bajas dimensiones muestra una amplia gama de aplicaciones en distintos campos. En la actualidad, la investigación de las nuevas propiedades de los materiales semiconductores mediante la creación de capas porosas en dichos semiconductores brinda...

Full description

Autores:
Rodriguez Ballesteros, Ismael Fernando
Tipo de recurso:
Fecha de publicación:
2018
Institución:
Universidad Nacional de Colombia
Repositorio:
Universidad Nacional de Colombia
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:repositorio.unal.edu.co:unal/63872
Acceso en línea:
https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/63872
http://bdigital.unal.edu.co/64478/
Palabra clave:
53 Física / Physics
Semiconductores
Opto-electrónica
Antimoniuro de galio (GaSb)
Ataque electroquímico
Microcopia de fuerza atómica
Semiconductors
Optoelectronics
Gallium antimonide (GaSb)
Electrochemical attack
Atomic force microscopy
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial 4.0 Internacional