Espectro electrónico de impurezas do y d confinadas en heterojunturas semiconductoras de gaas-(ga,al)as

En este trabajo se desarrolla un nuevo método simple y eficiente el cual denominamos Método de Dimensión Fractal, para estudiar las energías de enlaces del estado base y algunos estados excitados de impurezas neutras (0D) y negativamente cargadas (D), confinadas en heterojunturas semiconductoras de...

Full description

Autores:

Sierra Ortega, José

Tipo de recurso:

http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce

Fecha de publicación:

2004

Institución:

Universidad Industrial de Santander

Repositorio:

Repositorio UIS

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:noesis.uis.edu.co:20.500.14071/17014

Acceso en línea:

https://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/17014
https://noesis.uis.edu.co

Palabra clave:

Sistemas de baja dimensionalidad
Dimensión fractal
Método variacional
Energía de enlace
Heterojunturas
puntos
hilos y pozos cuánticos.
Low dimensional systems
Fractal dimension
Variational method
Binding energy
Heterostructures
dots
wires and quantum wells.

Rights

License

Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)