Preparación de películas semiconductoras de n-tio2 utilizando como precursores butoxido de titanio (iv) polímero, butoxido de titanio (iv) y etilendiamina para la oxidación del fenol en soluciones acuosas

Películas semiconductoras de N-TiO2 fueron preparadas por el método sol-gel, empleando como precursores de titanio: polímero de butoxido de titanio (IV) y butóxido de titanio (IV); y como precursor de nitrógeno etilendiamina. Se utilizaron relaciones molares, alcóxidos de titanio/nitrógeno (1:1.5; 1...

Full description

Autores:

Archila Hernández, Katherin Gissela
Manosalva Moncada, Sergio Mauricio

Tipo de recurso:

http://purl.org/coar/version/c_b1a7d7d4d402bcce

Fecha de publicación:

2013

Institución:

Universidad Industrial de Santander

Repositorio:

Repositorio UIS

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:noesis.uis.edu.co:20.500.14071/29402

Acceso en línea:

https://noesis.uis.edu.co/handle/20.500.14071/29402
https://noesis.uis.edu.co

Palabra clave:

N-Dióxido De Titanio Dopado
Foto electrocatálisis
Oxidación De Fenol.
N-Doped Titanium Dioxide
Photoelectrocatalytic
Oxidation Of Phenol.

Rights

License

Attribution-NonCommercial 4.0 International (CC BY-NC 4.0)