Potencial de morse como perfil de pozos cuánticos semiconductores

ABSTRACT: Theoretical calculations of the energy and wave function of the ground state and the first excited state of an electron confined in a GaAsAl/GaAs quantum well with Morse-like potential profile are presented using the effective mass approximation method and the envelope wave function. The i...

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Autores:
Martínez Rendón, Valentina
Castaño Uribe, Carolina
Giraldo Martínez, Andrea
González Pereira, Juan Pablo
Restrepo Arango, Ricardo León
Morales Aramburo, Álvaro Luis
Duque Echeverri, Carlos Alberto
Tipo de recurso:
Article of investigation
Fecha de publicación:
2016
Institución:
Universidad de Antioquia
Repositorio:
Repositorio UdeA
Idioma:
spa
OAI Identifier:
oai:bibliotecadigital.udea.edu.co:10495/13070
Acceso en línea:
http://hdl.handle.net/10495/13070
Palabra clave:
Potencial de Morse
Pozos cuánticos
Semiconductores
Rights
openAccess
License
Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Colombia