Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser
En el presente trabajo se estudia la posibilidad de controlar el comportamiento del factor de Landé electrónico en hilos cuánticos semiconductores mediante el cambio de intensidad y de frecuencia de un láser aplicado sobre el sistema. Se utiliza la aproximación de láser vestido para tratar el sistem...
- Autores:
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Ramírez, Iliana M.
López, Francisco E.
- Tipo de recurso:
- Article of journal
- Fecha de publicación:
- 2010
- Institución:
- Instituto Tecnológico Metropolitano
- Repositorio:
- Repositorio ITM
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- OAI Identifier:
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- Acceso en línea:
- https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468
http://hdl.handle.net/20.500.12622/719
- Palabra clave:
- Campo magnético
factor de Landé
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semiconductores
Landé factor
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- License
- Copyright (c) 2017 Tecno Lógicas
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Ramírez, Iliana M.López, Francisco E.2019-07-18T14:12:18Z2019-08-14T14:28:47Z2019-07-18T14:12:18Z2019-08-14T14:28:47Z2010-12-15https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/46810.22430/22565337.468http://hdl.handle.net/20.500.12622/719En el presente trabajo se estudia la posibilidad de controlar el comportamiento del factor de Landé electrónico en hilos cuánticos semiconductores mediante el cambio de intensidad y de frecuencia de un láser aplicado sobre el sistema. Se utiliza la aproximación de láser vestido para tratar el sistema “hilo cuántico + láser” como un hilo cuántico en ausencia de radiación, pero con parámetros (altura de la barrera para los electrones de conducción y masa efectiva electrónica) renormalizados por los efectos del láser. Se tiene en cuenta un campo magnético aplicado en la dirección paralela al eje del hilo cuántico. Los efectos de la no parabolicidad y de la anisotropía de la banda de conducción son tenidos en cuenta mediante el uso del Hamiltoniano de Ogg-McCombe.We study the electronic Landé factor control by changing of both intensity and frequency intense laser field on cylindrical quantum well wire. We use the laser dressed approximation for treated the “quantum wire + laser” system as quantum wire in the absence of radiation but with parameter (electronic barrier height and electronic effective mass) renormalized by laser effects. We consider a magnetic field applied to parallel direction of symmetric axis of quantum well wire. We take into account nonparabolicity and anisotropy effects on the conduction band by Ogg-McCombe Hamiltonian.application/pdfspaInstituto Tecnológico Metropolitano (ITM)https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468/474TecnoLógicasCopyright (c) 2017 Tecno Lógicashttp://purl.org/coar/access_right/c_abf22256-53370123-7799TecnoLógicas; Special edition II (2010); 49-59TecnoLógicas; Edición Especial II (2010); 49-59Campo magnéticofactor de Landéhilos cuánticoslásersemiconductoresLandé factorlaser dressingmagnetic fieldquantum well wiresemiconductors.Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación LáserControl del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láserinfo:eu-repo/semantics/articleArticlesArtículoshttp://purl.org/coar/resource_type/c_6501http://purl.org/coar/resource_type/c_2df8fbb1http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85Publication20.500.12622/719oai:dspace-itm.metabuscador.org:20.500.12622/7192025-06-20 16:12:53.968metadata.onlyhttps://dspace-itm.metabuscador.orgRepositorio Instituto Tecnológico Metropolitano de Medellínbdigital@metabiblioteca.com |
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