Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser

En el presente trabajo se estudia la posibilidad de controlar el comportamiento del factor de Landé electrónico en hilos cuánticos semiconductores mediante el cambio de intensidad y de frecuencia de un láser aplicado sobre el sistema. Se utiliza la aproximación de láser vestido para tratar el sistem...

Full description

Autores:

Ramírez, Iliana M.
López, Francisco E.

Tipo de recurso:

Article of journal

Fecha de publicación:

2010

Institución:

Instituto Tecnológico Metropolitano

Repositorio:

Repositorio ITM

Idioma:

spa

OAI Identifier:

oai:repositorio.itm.edu.co:20.500.12622/719

Acceso en línea:

https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468
http://hdl.handle.net/20.500.12622/719

Palabra clave:

Campo magnético
factor de Landé
hilos cuánticos
láser
semiconductores
Landé factor
laser dressing
magnetic field
quantum well wire
semiconductors.

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