Control del Factor de Landé en Hilos Cuánticos de GaAs/(Ga,Al)As mediante la Aplicación de Radiación Láser

En el presente trabajo se estudia la posibilidad de controlar el comportamiento del factor de Landé electrónico en hilos cuánticos semiconductores mediante el cambio de intensidad y de frecuencia de un láser aplicado sobre el sistema. Se utiliza la aproximación de láser vestido para tratar el sistema “hilo cuántico + láser” como un hilo cuántico en ausencia de radiación, pero con parámetros (altura de la barrera para los electrones de conducción y masa efectiva electrónica) renormalizados por los efectos del láser. Se tiene en cuenta un campo magnético aplicado en la dirección paralela al eje del hilo cuántico. Los efectos de la no parabolicidad y de la anisotropía de la banda de conducción son tenidos en cuenta mediante el uso del Hamiltoniano de Ogg-McCombe.

• Autores: Ramírez, Iliana M.; López, Francisco E.
• Tipo de recurso: Article of journal
• Fecha de publicación: 2010
• Institución: Instituto Tecnológico Metropolitano
• Repositorio: Repositorio ITM
• Idioma: spa
• OAI Identifier: oai:repositorio.itm.edu.co:20.500.12622/719
• Acceso en línea: https://revistas.itm.edu.co/index.php/tecnologicas/article/view/468; http://hdl.handle.net/20.500.12622/719
• Palabra clave: Campo magnético; factor de Landé; hilos cuánticos; láser; semiconductores; Landé factor; laser dressing; magnetic field; quantum well wire; semiconductors.
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