Closed equations for the design of class f amplifiers
This paper shows a methodology for designing class F amplifiers based on closed equations that allow the direct calculation of the output matching network. For the sake of proving, a prototype has been carried out using the Cree´s device GaN HEMT CGH40010, obtaining a maximum drain efficiency of 65...
- Autores:
- Tipo de recurso:
- http://purl.org/coar/resource_type/c_6645
- Fecha de publicación:
- 2015
- Institución:
- Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
- Repositorio:
- RiUPTC: Repositorio Institucional UPTC
- Idioma:
- spa
- OAI Identifier:
- oai:repositorio.uptc.edu.co:001/10203
- Acceso en línea:
- https://revistas.uptc.edu.co/index.php/investigacion_duitama/article/view/3267
https://repositorio.uptc.edu.co/handle/001/10203
- Palabra clave:
- GaN-HEMT
power amplifier
high efficiency
HEMTs
microwave amplifier.
GaN-HEMT
amplificador de potencia
alta eficiencia
HEMTs
amplificador de microondas.
- Rights
- License
- Derechos de autor 2015 REVISTA DE INVESTIGACIÓN, DESARROLLO E INNOVACIÓN